N01S830BAT22I

onsemi
863-N01S830BAT22I
N01S830BAT22I

Produttore:

Descrizione:
SRAM 1MB 3V BATT BU FUNCT

Modello ECAD:
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Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:
Imballaggio:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilità:
A magazzino
Prezzo:
4,62 €
Min:
1

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: SRAM
RoHS::  
1 Mbit
128 k x 8
25 ns
20 MHz
SPI
5.5 V
2.5 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSSOP-8
Tube
Marchio: onsemi
Tipo di memoria: SDR
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: SRAM
Serie: N01S830
Quantità colli di fabbrica: 100
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Tipo: Synchronous
Peso unità: 400 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

N01S8 1Mb Ultra-Low Power Serial SRAM

onsemi N01S8x 1Mb Ultra-Low Power Serial SRAM offers high-speed performance and low power. onsemi N01S8x SRAM operates with a single chip select (CS) input and uses a simple SPI protocol. In SPI mode, a single data-in (SI) and data-out (SO) line is used along with the clock (SCK) to access data within these devices. In DUAL mode, two multiplexed data-in/data-out (SIO0-SIO1) lines are used. In QUAD mode, four multiplexed data-in/data-out (SIO0-SIO3) lines are used with the clock to access the memory. N01S8x SRAM operates over a wide temperature range of -40°C to +85°C and is offered in a 8-lead TSSOP package.