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CSD25304W1015

Name: Texas Instruments CSD25304W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015
Price: 0.65 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD25304W1015

N. produttore:

CSD25304W1015

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

Scheda dati:

CSD25304W1015 Scheda dati

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,654 €	0,65 €
	0,402 €	4,02 €
	0,263 €	26,30 €
	0,204 €	102,00 €
	0,179 €	179,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,148 €	444,00 €
	0,136 €	816,00 €
	0,129 €	1.161,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD25304W1015T

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,45 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD25304W1015T

Descrizione:

MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DSBGA-6
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	92 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.15 V
Qg - Carica del gate:	4.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	750 mW
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Tempo di caduta:	10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	12 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4 ns
Serie:	CSD25304W1015
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	24 ns
Tipico ritardo di accensione:	6 ns
Peso unità:	1,400 mg

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ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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