CSD25304W1015T

Texas Instruments
595-CSD25304W1015T
CSD25304W1015T

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

Modello ECAD:
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Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™
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0,929 € 9,29 €
0,538 € 53,80 €
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0,538 € 134,50 €
0,454 € 227,00 €
0,409 € 409,00 €
0,393 € 982,50 €
0,373 € 1.865,00 €
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Produttore Codice prodotto:
Imballaggio:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilità:
A magazzino
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Min:
1

Prodotto analogo

Texas Instruments CSD25304W1015
Texas Instruments
MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Texas Instruments
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
DSBGA-6
P-Channel
1 Channel
20 V
3 A
92 mOhms
- 8 V, 8 V
800 mV
3.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Texas Instruments
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 10 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 4 ns
Serie: CSD25304W1015
Quantità colli di fabbrica: 250
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 24 ns
Tipico ritardo di accensione: 6 ns
Peso unità: 1,700 mg
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.