STDRIVEG611Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611Q
STDRIVEG611Q

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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1,40 € 1.400,00 €
1,37 € 3.425,00 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Marchio: STMicroelectronics
Tensione di ingresso - Max: 20 V
Tensione di ingresso - Min.: 3.3 V
Ritardo di spegnimento massimo: 60 ns
Ritardo di accensione massimo: 60 ns
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Spegnimento: No Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 4900
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: GaN
Peso unità: 44 mg
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Attributi selezionati: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG611

Il driver di gate mezzo ponte STDRIVEG611 di STMicroelectronics è un driver di gate mezzo ponte ad alta tensione per GaN a canale N in modalità di miglioramento. La sezione del driver high-side è progettata per sopportare un rail di tensione fino a 600 V e può essere facilmente alimentata dal diodo bootstrap integrato. Capacità di alta corrente, breve ritardo di propagazione con un eccellente adattamento del ritardo e LDO integrati rendono il STDRIVEG611 ottimizzato per il pilotaggio di GaN ad alta velocità.