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STB38N65M5

Name: STMicroelectronics STB38N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB38N65M5
Price: 5.99 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STB38N65M5

N. produttore:

STB38N65M5

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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Scheda dati:

STB38N65M5 Scheda dati (PDF)

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Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	5,99 €	5,99 €
	4,04 €	40,40 €
	3,00 €	300,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	2,80 €	2.800,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	95 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	71 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	190 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	9 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Serie:	Mdmesh M5
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	4 g

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Scheda dati

STB38N65M5 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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