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IXYA55N65B5

Name: IXYS IXYA55N65B5
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYA55N65B5
Price: 5.98 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXYA55N65B5

N. produttore:

IXYA55N65B5

Produttore:

IXYS

Descrizione:

IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

IXYA55N65B5 Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,98 €	5,98 €
	4,37 €	43,70 €
	3,53 €	353,00 €
	3,14 €	1.570,00 €
	2,69 €	2.690,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-263-2L
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.3 V
Tensione gate-emettitore massima:	20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	122 A
Pd - Dissipazione di potenza:	395 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	Trench
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Corrente continua di collettore Ic max:	122 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	100 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	IGBTs
Nome commerciale:	XPT

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT XPT Gen5

IXYS Gen5 XPT IGBTs offer a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge. These transistors feature a low thermal resistance that simplifies thermal-related design issues. Gen5 IGBTs are available in three classes. Class A transistors are for low-speed devices and optimized for applications that require switching frequencies in the 0 to 5kHz range, while Class B transistors are for medium-speed devices and optimized for applications that require a frequency range of 5kHz to 30kHz. Finally, the Class C transistors are designed for high-speed devices and are suitable for applications requiring switching frequencies in the range of 20kHz to 60kHz. Applications for IXYS Gen5 XPT IGBTs include power inverters, PFC circuits, lamp ballasts, battery chargers, and welding machines.

Alimentazione CA-CC

L'alimentazione CA-CC di Littelfuse è un blocco di costruzione comunemente utilizzato nei progetti di elettronica. I componenti di questi blocchi di costruzione dell'alimentazione devono essere affidabili e durevoli e Littelfuse offre una gamma di prodotti che soddisfano tali requisiti. Questo portafoglio di componenti copre la protezione da sovracorrente e sovratensione, lo stadio di potenza e la protezione di uscita. Applicazioni tipiche per Littelfuse CA/alimentazione CC includono il settore automobilistico, quello solare, quello industriale, quello manifatturiero e altri ancora.

IGBT GenX4™ XPT™ Trench da 650 V a 1.200 V

IXYS trench 650 V a 1.200 V Gli IGBT XPT™ GenX4™ sono sviluppati utilizzando un wafer sottile proprietario XPT tecnologia e un processo all'avanguardia di quarta generazione (GenX4™) IGBT trench. Questi transistor bipolari a gate isolato presentano una resistenza termica ridotta, basse perdite energetiche, commutazione veloce, bassa corrente di coda e alte densità di corrente. I dispositivi presentano un'eccezionale robustezza durante la commutazione e in condizioni di cortocircuito.

IGBT XPT™ GenX4™ IXYxN120A4

Gli IGBT Trench IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ sono IGBT a trincea di quarta generazione con tecnologia XPT a wafer sottile. Questi transistor IGBT con bassissima V_SAT supportano frequenze di commutazione fino a 5 kHz e sono ottimizzati per basse perdite di conduzione. Gli IGBT IXYxN120A offrono vantaggi quali un'elevata densità di potenza, un basso requisito di pilotaggio del gate e una temperatura operativa compresa tra -55°C e +175°C. Questi transistor sono disponibili nei package TO-247 e TO-269HV, ciascuno con una tensione di 1200 V e una corrente di 55 A o 85 A. Gli IGBT IXYxN120A sono utilizzati in applicazioni come inverter di potenza, unità motore, circuiti PFC, caricabatterie, macchine per saldatura, reattori di lampade e circuiti di protezione dalla corrente di spunto.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.