Vishay / Siliconix MOSFET a canale N TrenchFET Gen IV
I MOSFET a canale N di IV gen. Vishay Siliconix TrenchFET® sono la nuova generazione della famiglia di MOSFET di potenza a canale N TrenchFET® Vishay. Questi nuovi dispositivi utilizzano una progettazione ad alta densità. I SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP w SiSA04DN offrono la più bassa resistenza in conduzione del settore pari a 1,35 mΩ a 4,5 V e una bassa carica totale del gate negli integrati PowerPAK® SO-8 e 1212-8. Le caratteristiche comprendono un bassa RDS(on), che si traduce in minori perdite di conduzione e minor consumo energetico, bassissimo rapporto Qdg/Qgs di 0,5 o meno, integrati salvaspazio PowerPAK® 1212-8 di simile efficienza in un terzo dello spazio. Le applicazioni tipiche comprendono convertitori CC/CC ad alta potenza, raddrizzatori sincroni, convertitori buck sincroni e dispositivi OR-ing.
The TrenchFET MOSFETs are available in a broad range of power MOSFETs in a wide selection of advanced packages such as -200V to 800V breakdown voltages and 1.2V wide range of gate drive voltages. These MOSFETs are optimized with lowest Rds(on) for load switch applications and for lowest gate charge and capacitances for fast switching. The MOSFETs are differentiated with low voltage and medium voltage TrenchFETs.
The Low Voltage TrenchFET® feature high efficiency, increased power density, and come with space-saving packages. These are ideal for consumer electronics, drones, computers, and telecom equipment.
The Medium Voltage TrenchFET® feature compact and highly efficient devices that enable layout optimization, reduce component count, and enable the highest efficiency. These are ideal for power supplies, motor drive control, and renewable energy.
Vishay Siliconix SkyFET MOSFETs are also part of the Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV Power MOSFETs offering.
Caratteristiche
- Next-generation technology optimizes several key specifications:
- DS(on)S=4.5V
- Down to ultra-low RDS(on) of 0.001Ω at VGS=10V
- Very low Qgd and exceptionally low Qgd/Qgs ratio:<0.5
- Qgd/Qgs ratio down to 0.3
- Improved immunity to CdV/dt gate coupling
