Vishay / Siliconix MOSFET ad alte prestazioni serie E da 600-650 V Vishay Siliconix
I MOSFET ad alte prestazioni della serie E di Vishay Siliconix sono MOSFET di potenza a canale N da 500 V e 650 V con tecnologia Super Junction con una riduzione del 30% della resistenza in conduzione specifica rispetto ai MOSFET della serie S. Questa serie E di MOSFET ad alte prestazioni si caratterizza per la bassa resistenza in conduzione (RDS(on)), la bassa capacità di ingresso (Ciss), le perdite di commutazione capacitiva ridotte, la carica del gate ultrabassa (Qg), il basso costo, i circuiti di pilotaggio del gate semplificati, la bassa cifra di merito (FOM: RDS(on) x Qg) e la commutazione rapida. Le applicazioni tipiche includono alimentatori per server e telecomunicazioni, illuminazione, uso industriale, caricabatterie, energia rinnovabile e SMPS.
These high-performance MOSFETs come in various packages, including TO-247AC, TO-220AB, TO-220 FULLPAK, TO-247AC, D2PAK (TO-263), IPAK (TO-251), DPAK (TO-252), and IPAK (TO-251).
Caratteristiche
- Optimal Design:
- Low on-resistance (RDS(on))
- Low input capacitance (Ciss)
- Reduced capacitive switching losses
- Ultra-low gate charge (Qg)
- Optimal efficiency and operation:
- Low cost
- Simple gate drive circuitry
- Low figure of merit (FOM): RDS(on) x Qg
- Fast switching
Applicazioni
- Server and telecom power supplies - SMPS lighting:
- High-Intensity Discharge (HID)
- LED lighting
- Fluorescent ballast lighting
- Industrial - Welding, induction heating, and motor drives
- Battery chargers
- Renewable energy - Solar (PV inverters)
- SMPS - Power factor correction (PFC)
