Vishay / Siliconix MOSFET di potenza ThunderFET®

I MOSFET di potenza ThunderFET® di Vishay Siliconix offrono i valori di resistenza in conduzione più bassi del settore, per MOSFET da 100 V con tensione nominale di 4,5 V. Oltre alla resistenza in conduzione e alla carica del gate, anche la cifra di merito (FOM) per MOSFET da utilizzare in applicazioni di conversione CC-CC è la migliore della categoria. Per i progettisti, la bassa resistenza in conduzione significa minori perdite in conduzione e ridotto consumo di energia, per soluzioni ecologiche orientate al risparmio energetico. Questi dispositivi sono ottimizzati per commutazione primaria e rettifica sincrona secondaria negli alimentatori CC/CC isolati per convertitori brick e bus di telecomunicazione. I MOSFET da 4,5 V di resistenza in conduzione consentono l'uso di un'ampia gamma di PWM e IC di pilotaggio del gate.

These devices are optimized for primary side switching and secondary side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The MOSFETs' 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

Features

  • Technology is competitive with leading competitors from RDS(ON) and Qg perspective
  • TrenchFET® Power MOSFET
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Applicazioni

  • DC-DC Primary/Secondary side switch
  • Telecom/Servers 48V
  • DC-DC converters
  • POL
  • Full/Half-Bridge DC-DC
  • Load switches
  • Power management
  • LED backlighting
  • Synchronous rectification
  • DC/AC inverters
  • Motor drive switches
  • PD switches

MOSFETs for Industrial Applications Infograph

Chart - Vishay / Siliconix MOSFET di potenza ThunderFET®