Vishay Semiconductors Fotodiodo PIN al silicio ad alta velocità VEMD8083
Il fotodiodo PIN al silicio ad alta velocità VEMD8083 di Vishay Semiconductors è progettato per applicazioni di rilevamento della luce precise. Il Vishay VEMD8083 è dotato di un package compatto per montaggio superficiale con una struttura epossidica nera che migliora la sensibilità alla luce visibile e al vicino infrarosso, riducendo al minimo l'interferenza della luce ambientale. Con un tempo di risposta rapido e una bassa capacità elettrica, il VEMD8083 è ideale per il rilevamento ottico ad alta velocità, la diagnostica medica e l'automazione industriale. La sensibilità spettrale ottimizzata del dispositivo con un'area sensibile di 2,8 mm2 e una corrente oscura bassa (10nA) garantiscono un'elevata precisione in condizioni di scarsa illuminazione, rendendolo una scelta affidabile per le applicazioni di rilevamento fotoelettrico che richiedono efficienza e precisione.
Caratteristiche
- Tipo di package a montaggio superficiale
- Modulo package, vista dall'alto
- Dimensioni 3,2 mm x 2.0 mm x 0,6 mm (LxPxA)
- Area sensibile radiante 2,8 mm2
- Sensibilità potenziata
- Tensione diretta tipica 0,9 V, massima 1,3 V
- Tensione inversa 20 V
- Corrente oscura inversa 10 nA
- Lunghezza d'onda tipica di 940 nm della sensibilità di picco
- Intervallo tipico da 350 nm a 1.100 nm della larghezza di banda spettrale
- 30 ns tempo aumento/riduzione
- Adatto per radiazioni visibili e del vicino infrarosso
- Compatibile con il processo di saldatura per rifusione infrarosso
- Angolo di sensibilità dimezzata - φ = ±60 °
- Durata di vita a pavimento di 168 ore, MSL3, secondo J-STD-020
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -40 °C a +85 °C
- Senza piombo, senza alogeni (VERDE) e conforme a RoHS
Applicazioni
- Dispositivi indossabili
- Monitoraggio della salute
- Rilevamento ottico
- Foto-rilevatori ad alta velocità
- Automazione industriale
Dimensioni
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Pubblicato: 2025-01-22
| Aggiornato: 2025-01-28