Vishay / Siliconix MOSFET Gen V TrenchFET® a canale N SiSS52DN e SiSS54DN
Il MOSFET di potenza Gen V TrenchFET a canale N SiSS52DN e SiSS54DN di Vishay / Siliconix consente una maggiore densità di potenza con RDS(on) molto basso. Questo MOSFET di potenza offre una cifra di merito (FOM) di 30 V VDS e una RDS x Qgmolto bassa. Il MOSFET a canale N SiSS52DN presenta tipicamente 162 A ID e 19,9 nC Qg. Mentre il MOSFET a canale N SiSS54DN presenta tipicamente 185,6 a ID e 21 nC Qg. Questo MOSFET con Rg al 100% e commutazione induttiva senza blocco (UIS) è disponibile in un package PowerPAK® 1212-8S compatto termicamente avanzato con una singola configurazione. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC, punti di carico (PoL), raddrizzamento sincrono, interruttori di potenza e carico e gestione della batteria.
Caratteristiche
- MOSFET di potenza Gen V TrenchFET®
- Cifra di merito (FOM) RDS x Qg molto bassa
- Consente una maggiore densità di potenza con RDS(on) molto basso
- Package 1212-8S PowerPAK® compatto termicamente avanzato con una singola configurazione
- Testati al 100% per Rg e UIS
Applicazioni
- Convertitori CC/CC
- Punti di carico (POL)
- Raddrizzamento sincrono
- Gestione batteria
- Interruttori di carico e potenza
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Formato package
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| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione |
|---|---|---|
| SIJH5100E-T1-GE3 |  |
MOSFET PWRPK 100V N-CH MOSFET |
| SIR5607DP-T1-RE3 | |
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
| SISS54DN-T1-GE3 | |
MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 51.1A |
| SISS52DN-T1-GE3 | |
MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 47.1A |
Pubblicato: 2020-10-06
| Aggiornato: 2024-12-12