Vishay MOSFET (D-S) 20 V a canale N Si8410DB
Il MOSFET (D-S) 20 V a canale N Si8410DB Vishay offre dimensioni ultra-ridotte e ultra-sottili usando il package Micro Foot con un'area di ingombro di 1 mm x 1 mm. Offre una tensione drain-source di 20 V, è conforme alla direttiva RoHS ed è privo di alogeni. Il Si8410DB è generalmente utilizzato per interruttori di carico, gestione dell'alimentazione e interruttori ad alta velocità.
Caratteristiche
- TrenchFET® power MOSFET
- Ultra-small 1x1mm maximum outline
- Ultra-thin 0.54mm maximum height
Applicazioni
- Load switch
- Power management
- High-speed switching
Associated Products
Vishay / Siliconix MOSFET Gen IV TrenchFET®
Offrono una bassa resistenza in conduzione del settore fino a 1,35 mΩ a 4,5 V.
Vishay / Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs
Offers low on-resistance (RDS(on)) in an ultra-small and ultra-thin package.
Pubblicato: 2015-03-31
| Aggiornato: 2022-03-11