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Toshiba Diodi di protezione ESD DF2BxM4ASL

I diodi di  protezione ESD DF2BxM4ASL di Toshiba proteggono i dispositivi semiconduttori come le interfacce per dispositivi mobili e altre applicazioni da  elettricità e rumore statici. Questi diodi di protezione ESD utilizzano  caratteristiche a scatto e forniscono bassa resistenza dinamica e prestazioni di protezione superiori. I diodi DF2BxM4ASL ottimizzano l'applicazione di segnale ad alta velocità per prestazioni a bassa capacità. Questi diodi di protezione ESD sono conservati in un intervallo delle temperature da -55 °C a 150 °C. I diodi DF2BxM4ASL funzionano ad una temperatura di giunzione di 150 °C, potenza di impulso di picco di 30 W e corrente di impulso di picco di 2 A.  Le applicazioni tipiche includono smartphone, tablet, PC portatili e PC desktop.

Caratteristiche

  • Il package compatto si adatta all'uso in layout di schede ad alta densità come nei dispositivi mobili
  • La bassa resistenza dinamica protegge i dispositivi semiconduttori da elettricità statica e rumore
  • Le caratteristiche di snapback realizzano una bassa tensione di blocco e proteggono i dispositivi semiconduttori
  • Protegge i dispositivi con le sue elevate prestazioni ESD

Specifiche

  • DF2B5M4ASL:
    • Tensione di picco inversa di lavoro: 3,6 V
    • Intervallo di tensione di mantenimento: da 4 V a 6 V
  • DF2B6M4ASL:
    • Tensione inversa di picco di lavoro: 5,5 V
    • Intervallo di tensione di mantenimento: da 5,6 V a 8 V
  • Intervallo delle temperature di conservazione: da -55 °C a +150 °C
  • Temperatura di giunzione: 150 °C
  • Alimentazione impulso di picco: 30 W
  • Corrente impulso di picco: 2 A

Applicazioni

  • Apparecchiature mobili:
    • Smartphone
    • Tablet
    • PC portatili
  • PC desktop

Diagramma di circuito

Diagramma - Toshiba Diodi di protezione ESD DF2BxM4ASL

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Pubblicato: 2020-04-14 | Aggiornato: 2024-11-11