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Texas Instruments TPSI2072-Q1 relè a stato solido isolato a 2 canali

Il relè a stato solido isolato (SSR) a 2 canali TPSI2072-Q1 di Texas Instruments è progettato per applicazioni automobilistiche e industriali ad alta tensione. Il TPSI2072-Q1 utilizza la tecnologia di isolamento capacitivo ad alta affidabilità di TI in combinazione con MOSFET back-to-back interni per formare una soluzione completamente integrata che non richiede un'alimentazione secondaria. Il TPSI2072-Q1 migliora l'affidabilità del sistema poiché la tecnologia di isolamento capacitivo di TI non soffre di guasti dovuti all'usura meccanica o alla fotodegradazione, modalità di guasti comuni nei relè meccanici e nei componenti dei relè fotografici.

Il lato primario del dispositivo è alimentato da una corrente di ingresso di soli 9 mA e incorpora i pin di sicurezza EN1 e EN2, che impediscono qualsiasi possibilità di rialimentazione dell'alimentazione VDD. Nella maggior parte delle applicazioni, il pin VDD del dispositivo deve essere collegato ad un alimentatore di sistema compreso tra 4,5 V e 20 V, e i pin EN1 e EN2 del dispositivo devono essere azionati da un'uscita logica GPIO con HI compreso tra 2,1 V e 20 V. I pin VDD EN1 e EN2 potrebbero essere azionati insieme direttamente dall'alimentatore di sistema o da un'uscita GPIO in altre applicazioni.

Ogni canale sul lato secondario è costituito da MOSFET back-to-back con una tensione di isolamento di +/-600 V da SM a S1 e da SM a S2. La robustezza avalanche del MOSFET TPSI2072-Q1 e il design del package sensibile termicamente consentono di supportare in modo solido lo screening ad alto potenziale (HiPot) a livello di sistema e alle correnti di sovratensione CC del caricatore rapido fino a 2 mA senza richiedere alcun componente esterno.

Caratteristiche

  • Omologati per applicazioni per il settore automobilistico
    • AEC-Q100 grado 1 (da –40°C a 125°C TA)
  • MOSFET con classificazione avalanche integrati
    • Progettati e qualificati per l'affidabilità nei test di resistenza dielettrica (Hi-Pot)
      • IAVA = 2 mA per impulsi di 5 s, 1 mA per impulsi di 60 s
      • VHIPOT, 5 s = 4.300 V con Rseries > 1,83 MΩ
      • VHIPOT, 5 s = 2.850 V con Rseries > 1,1 MΩ
    • Tensione di isolamento 600 V
    • RON = 65 Ω (TJ = 25°C)
    • IOFF = 1 µA in 500 V (TJ = 105°C)
  • Bassa corrente di alimentazione del lato primario
    • 5 mA canale singolo, 9 mA stato ON a due canali corrente
  • Capacità di sicurezza funzionale
    • Documentazione disponibile per facilitare la progettazione del sistema ISO 26262 e IEC 61508
  • Robusta barriera di isolamento
    • > 26 anni di durata prevista con tensione di lavoro CC 1000 VRMS/1500V
    • Isolamento nominale, VISO, fino a 3750VRMS/5300VDC
  • Pacchetto SOIC a 11 pin (DWQ) con pin larghi per prestazioni termiche migliorate
    • Creep e clearance ≥ 8 mm (primario-secondario)
    • Distanza superficiale e spazio libero ≥ 3 mm (tra i terminali dell'interruttore)
  • Certificazioni correlate alla sicurezza
    • (Previsto) DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • (Pianificato) Programma di riconoscimento dei componenti UL 1577

Applicazioni

  • Relè Solid State
  • Sistemi ibridi, elettrici e di propulsione
  • Sistemi di gestione della batteria (BMS)
  • Sistemi di accumulo di energia (ESS)
  • Energia solare
  • Caricabatterie integrato
  • Infrastruttura di caricamento EV

Risorse aggiuntive

Video

Schema di applicazione semplificato

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Pubblicato: 2023-08-23 | Aggiornato: 2025-03-11