Texas Instruments LMG3612 FET GaN a canale singolo

L'LMG3612 FET GaN a canale singolo di Texas Instruments   offre una tensione drain-source da 650 V e una resistenza drain-source di 120 mΩ con un driver integrato progettato per applicazioni di alimentazione in modalità switch. Questo IC combina  il FET GaN, il gate driver e le funzionalità di protezione  in un pacchetto QFN da 8 mm x 5,3 mm. Il FET GaN LMG3612 è dotato di una bassa carica capacitiva in uscita che riduce il tempo e l'energia necessari per la commutazione del convertitore di potenza. Il gate driver interno di questo transistor regola la tensione di pilotaggio per una resistenza ON ottimale del FET GaN. Il gate driver interno riduce l'induttanza totale del gate e l'induttanza della sorgente comune FET GaN per migliorare le prestazioni di commutazione, inclusa l'immunità ai transitori di modo comune (CMTI). Il FET GaN LMG3612 supporta i requisiti di efficienza a carico leggero del convertitore e il funzionamento in modalità burst con correnti di riposo basse di 55µA e tempi di avvio rapidi.