Texas Instruments Stadio di potenza a mezzo ponte GaN LMG2100R044
Lo stadio di potenza a mezzo ponte GaN LMG2100R044 di Texas Instruments è uno stadio di potenza a mezzo ponte da 90 V continua, 100 V a impulsi, 35 A con driver di porta e FET al nitruro di gallio (GaN) ad arricchimento integrati. Il LMG2100R044 combina due FET GaN 100 V pilotati da un driver FET GaN da 90 V ad alta frequenza in una configurazione a mezzo ponte. I FET GaN offrono vantaggi significativi per la conversione di potenza, come il recupero inverso pari a zero e la capacità di ingresso minima CISS e COSS di capacità di uscita minima.Lo stadio di potenza LMG2100R044 di TI è montato su una piattaforma con package completamente privo di fili di tenuta ed elementi parassiti del package ridotti al minimo. LMG2100R044 è alloggiato in un package senza piombo 5,5 mm x 4,5 mm x 0,89 mm ed è facile da montare su PCB.
Caratteristiche
- FET e driver GaN a mezzo ponte da 4,4 mΩ integrati
- Tensione nominale 90 V continua, 100 V a impulsi
- Package ottimizzato per un facile layout della PCB
- Commutazione ad alta velocità di risposta con basso riverbero
- Alimentatore di polarizzazione esterno 5 V
- Supporta i livelli logici di ingresso 3,3 V e 5 V
- Driver di porta in grado di commutazione fino a 10 MHz
- Basso consumo energetico
- Eccellente ritardo di propagazione (33 ns tipico) e accoppiamento (2 ns tipico)
- Blocco della tensione di alimentazione interna di bootstrap per impedire l’overdrive del FET GaN
- Sottotensione del rail di alimentazione per protezione di blocco
- Package QFN superiore esposto per raffreddamento sul lato superiore
- Ampio pad GND per raffreddamento sul lato inferiore
Applicazioni
- Convertitori buck, boost, buck-boost
- Convertitori LLC
- Invertitori solari
- Alimentatori per telecomunicazioni e server
- Azionamenti di motori
- Utensili elettrici
- Amplificatori audio di classe D
Diagramma a blocchi semplificato
Ritardo di propagazione e misurazione del disaccoppiamento
Pubblicato: 2024-05-13
| Aggiornato: 2025-04-16
