Texas Instruments Modulo di valutazione (EVM) LMG1025-Q1EVM
Il modulo di valutazione (EVM) LMG1025-Q1EVM di Texas Instruments è progettato per valutare LMG1025-Q1, un gate driver a valle a canale singolo adatto per il settore automobilistico. Il modulo di valutazione è composto da un FET ad arricchimento in nitruro di gallio (GaN) guidato da un FET LMG1025-Q1. Il drain del FET GaN è collegato a un carico resistivo a bordo che rappresenta un carico tipico del diodo laser per le applicazioni LiDAR (Light Detection And Ranging). L'LMG1025-Q1EVM di Texas Instruments ha una resistenza di carico (R5–R8) che deve essere sostituita con un diodo laser. Il modulo di valutazione è stato progettato per accelerare la valutazione dell'LMG1025-Q1. Il modulo di valutazione non è destinato a essere utilizzato come prodotto autonomo, ma per valutare le prestazioni di commutazione dell'LMG1025-Q1.
Caratteristiche
- Dimostra la capacità di pilotaggio di impulsi di 1-2 ns > 50 A
- Ritardo di propagazione estremamente ridotto: 3 ns tipico, 4,5 ns massimo
- Tempo di salita/discesa tipico di 550 ps
- Ingressi CMOS di tipo trigger di Schmitt per una maggiore robustezza
- Layout avanzato con induttanza < 500 pH
Contenuto del kit
- Modulo di valutazione LMG1025-Q1EVM
- Manuale utente
- Istruzioni di sicurezza
- Laser non incluso
Video
Impostazione del test
Prodotto correlato
Texas Instruments Driver GaN half bridge LMG1025/LMG1025-Q1
Da utilizzare con FET GaN ad arricchimento e MOSFET a livello logico in applicazioni ad alta frequenza di commutazione.
Pubblicato: 2020-01-16
| Aggiornato: 2024-05-06