STMicroelectronics Scheda dimostrativa EVSTGAP2GSN
La scheda dimostrativa EVSTGAP2GSN di STMicroelectronics facilita un’ampia valutazione del gate driver singolo isolato STGAP2GSN. Il driver STGAP2GSN è specificato dalla capacità di dissipazione 2 A e 3 A e dalle uscite rail-to-rail, adatte per applicazioni di invertitori a media e alta potenza. Il dispositivo utilizza resistori di gate dedicati per ottimizzare in modo indipendente l’accensione e lo spegnimento.
La scheda EVSTGAP2GSN di STMicro consente di valutare tutte le caratteristiche del driver STGAP2GSN azionando i transistor GaN E-Mode SGT120R65AL a 75 mΩ da 650 V. I componenti della scheda sono facilmente accessibili e modificabili, semplificando la valutazione delle prestazioni del driver in diverse condizioni di applicazione e la regolazione con precisione dei componenti finali.
Caratteristiche
- Scheda
- Configurazione a mezzo ponte, linea ad alta tensione fino a 650 V
- SGT120R65AL con 650 V, 75 mΩ tip., 15 A, transistor PowerGaN E-mode
- Pilotaggio del gate negativo
- Convertitori CC-CC integrati e isolati per alimentare gate driver a monte e a valle, alimentati da VAUX = 5 V, con isolamento massimo di 1,5 kV
- Logica VDD fornita da 3,3 V o VAUX = 5 V
- Facile selezione dei jumper di configurazione della tensione di pilotaggio: +6 V/0 V; +6 V/-3 V
- Dispositivo
- Isolamento funzionale 1700 V
- Capacità di corrente del driver: sorgente/dissipatore 2 A/3 A a +25 °C, VH = 6 V
- Dissipatore e sorgente separati per una facile configurazione di pilotaggio del gate
- Ritardo di propagazione ingresso-uscita 45 ns
- Funzione UVLO ottimizzata per GaN
- Tensione di pilotaggio del gate fino a 15 V
- Ingressi TTL/CMOS 3,3 V, 5 V con isteresi
- Protezione contro lo spegnimento ad alte temperature
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Pubblicato: 2023-06-20
| Aggiornato: 2023-06-23