STMicroelectronics Scheda dimostrativa EVSTGAP2GS
La scheda dimostrativa EVSTGAP2GS di STMicroelectronics è progettata per valutare il gate driver singolo isolato STGAP2GS. L'STGAP2GS include capacità di dissipazione sorgente 2 A/dissipatore 3 A e uscite rail-to-rail. Queste caratteristiche rendono il dispositivo ideale per le applicazioni di invertitori a media e alta potenza. Il dispositivo ottimizza in modo indipendente l’accensione e lo spegnimento utilizzando resistori di gate dedicati.
La scheda EVSTGAP2GS di STMicro consente la valutazione di tutte le opzioni STGAP2GS che azionano i transistor GaN e-Mode SGT120R65AL 75 mΩ, 650 V. I componenti della scheda sono facilmente accessibili e modificabili, semplificando la valutazione delle prestazioni del driver in diverse condizioni di applicazione e regolando con precisione i componenti finali.
Caratteristiche
- Dispositivo
- Linea ad alta tensione fino a 1200 V
- Sorgente/dissipatore 2A/3A a +25 °C, VH = capacità di corrente del driver 6 V
- Dissipatore e sorgente separati per una facile configurazione di pilotaggio del gate
- Ritardo di propagazione ingresso-uscita di 45 ns
- Funzione UVLO ottimizzata per GaN
- Tensione di pilotaggio del gate fino a 15 V
- Ingressi TTL/CMOS 3,3 V, 5 V con isteresi
- Protezione contro lo spegnimento per alte temperature
- Scheda
- Configurazione a mezzo ponte, linea ad alta tensione fino a 650 V
- SGT120R65AL con 650 V, 75 mΩ tip., 15 A, transistor PowerGaN E-mode
- Pilotaggio del gate negativo
- Convertitori CC-CC isolati su scheda per alimentare gate driver a monte e a valle, alimentati da VAUX = 5 V, con isolamento massimo 5,2 kV
- Logica VDD fornita da 3,3 V o VAUX integrati = 5 V
- +6 V/0 V; +6 V/-3 V Facile selezione del jumper di configurazione della tensione di pilotaggio
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Pubblicato: 2023-06-20
| Aggiornato: 2023-06-26