STMicroelectronics MOSFET di potenza STP65N150M9

Il MOSFET di potenza STMicroelectronics STP65N150M9 è basato sulla tecnologia a supergiunzione MDmesh M9. Il dispositivo è adatto per MOSFET a tensione media/alta con R_DS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 basata sul silicio trae vantaggio da un processo di produzione multi-drain, che consente di migliorare la struttura del dispositivo. In questo modo, il prodotto offre una resistenza in conduzione e valori di carica del gate più bassi tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione e commutazione rapida basati sul silicio. Ciò lo rende adatto per applicazioni che richiedono densità di potenza superiore ed efficienza eccezionale.