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IGBT da 600 a 650 V STMicroelectronics

IGBT da 600 a 650 V di STMicroelectronics

Gli IGBT STMicroelectronics da 600 a 650 V erogano una corrente collettore massima che va da 3 A a 150 A per le applicazioni con frequenza di funzionamento fino a 100 kHz. Sono disponibili anche versioni con uno specifico diodo antiparallelo integrato, per l'ottimizzazione delle progettazioni. Questo intervallo di tensioni si ottiene con la tecnologia a perforazione PowerMESH, brevettata da ST, e con la nuova tecnologia Trench-Gate Field-Stop. Applicazioni tipiche per questi IGBT da 600 a 650 V: elettrodomestici, riscaldamento a induzione, pannelli fotovoltaici, UPS, saldatura e illuminazione. Opzioni disponibili per gli integrati: D2PAK, DPAK, ISOTOP, Max247, TO-220, TO-220FP, TO-247, TO-247 a cavi lunghi, TO-3PF.
Caratteristiche
  • Temperatura di giunzione massima: TJ = 175 °C
  • Commutazione ad altissima velocità
  • Tensione di saturazione bassa
  • Distribuzione rigorosa dei parametri
  • Parallelo sicuro
  • Bassa resistenza termica
  • Integrato senza piombo
  • Diodo antiparallelo molto rapido per recupero graduale
  • Diodo integrato per recupero graduale VF basso
  • Spegnimento tail-less
Applicazioni
  • Riscaldamento a induzione
  • Forni a microonde
  • Convertitori risonanti
  • Invertitori fotovoltaici
  • Gruppi di continuità
  • Saldatura
  • Correzione del fattore di potenza
  • Convertitori ad altissima frequenza
  • Invertitori
  • Controllo motori
 
Part NumberData SheetCollector-Emitter Saturation VoltageContinuous Collector Current at 25 CPd - Power Dissipation
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  • STMicroelectronics
Pubblicato: 2013-07-19 | Aggiornato: 2026-01-12