onsemi MOSFET a canale N singolo NTMFWS1D5N08X

Il MOSFET a canale N singolo NTMFWS1D5N08X di onsemi incorpora un basso QRR e un diodo a corpo di recupero graduale, riducendo le perdite di commutazione. Il dispositivo NTMFWS1D5N08X offre un basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione, garantendo un funzionamento efficiente. Inoltre, la sua bassa Qg e la sua capacità contribuiscono a ridurre al minimo le perdite del driver. I MOSFET a canale N singolo NTMFWS1D5N08X di onsemi sono privi di piombo, alogeni, BFR e conformi a RoHS.

Caratteristiche

  • Diodo corpo a recupero progressivo a basso QRR
  • BassaRDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassa QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
  • Senza piombo, senza alogeni, senza BFR e conforme a RoHS

Applicazioni

  • Raddrizzamento sincrono (SR) in CC-CC e CA-CC
  • Interruttore primario in convertitore CC-CC isolato
  • Azionamenti di motori

Diagramma schematico interno

Schema - onsemi MOSFET a canale N singolo NTMFWS1D5N08X
Pubblicato: 2023-11-10 | Aggiornato: 2024-10-23