onsemi MOSFET a canale N NTMFS3D2N10MD
Il MOSFET a canale N NTMFS3D2N10MD di onsemi è progettato con un processo avanzato PowerTrench® che incorpora la tecnologia Shielded Gate. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo RDS(on) per minimizzare le perdite di conduzione e mantenere prestazioni di commutazione di livello superiore. Il MOSFET NTMFS3D2N10MD presenta bassi QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver, basso QRR,diodo a corpo a recupero progressivo e QOSS basso per migliorare l'efficienza a carico leggero. Le applicazioni tipiche includono interruttori primari in convertitori CC-CC isolati, adattatori CA-CC, raddrizzamento sincrono in CC-CC e CA-CC, motori BLDC, interruttori di carico, e inverter solari.
Caratteristiche
- Tecnologia MOSFET Shielded Gate
- RDS(on)massimo = 3,5mΩ a VGS= 10V, ID= 50A
- RDS(on)massimo = 5,8mΩ a VGS= 6V, ID= 30,5A
- Tensione di drain-to-source di 100 V (VDSS)
- Corrente di drain continua di142 A (ID max)
- Alta efficienza e riduzione del rumore di commutazione/EMI
- BassaRDS (on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
- Bassi QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver
- Diodo a corpo a recupero progressivo e basso QRR
- OSS a basso Q per migliorare l'efficienza a carico leggero
- Package MSL1 robusto
- Testato al 100% UIL
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Interruttore primario in convertitore CC-CC isolato
- Raddrizzamento sincrono (SR) in CC-CC e CA-CC
- Adattatori CA-CC (USB PD) SR
- Alimentatori
- Interruttore di carico
- Unità di azionamento motore
- Interruttori hotswap e O-ring
- Motori BLDC
- Inverter solare
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Pubblicato: 2022-02-22
| Aggiornato: 2024-06-14