onsemi MOSFET EliteSiC NTBG023N065M3S 23 mΩ
I MOSFET EliteSiC NTBG023N065M3S 23 m Ω di onsemi offrono una tecnologia planare M3S per applicazioni a commutazione rapida in un package D2PAK-7L. Questo MOSFET presenta tensione drain-source di 650 V, corrente di drain continua di 40 A, dissipazione di potenza di 263 W e corrente di drain a impulsi di 216 A. Il MOSFET NTBG023N065M3S integra una carica del gate ultrabassa e un MOSFET di commutazione ad alta velocità con bassa capacità (Coss = 153 pF). Questo MOSFET opera a un intervallo di temperatura da -55°C a 175°°C ed è testato a valanga 100%. Il MOSFET NTBG023N065M3S è privo di alogenuri e conforme a RoHS con un’esenzione 7a. Le applicazioni tipiche includono alimentatori a commutazione (SMPS), invertitori solari, UPS, accumulo di energia e infrastrutture di ricarica EV.
Caratteristiche
- Tensione drain-source 650 V
- 23 mΩ tipica a VGS = 18 V
- Carica del gate ultrabassa (Qg (tot) = 69 nC)
- Commutazione ad alta velocità con bassa capacità (Coss = 153 pF)
- Tensione gate-source da -8 V/+22 V
- Corrente di drain continua 40 A
- Dissipazione di potenza 263 W
- Intervallo di temperatura di funzionamento della giunzione da -55 °C a 175 °C
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Senza alogenuri
- Conforme a RoHS con l’esenzione 7 A
- Senza piombo 2LI (su interconnessione di secondo livello)
Applicazioni
- Alimentatori a commutazione (SMPS)
- Convertitori solari
- UPS
- Accumulatori di energia
- Infrastruttura di ricarica EV
Schema delle dimensioni
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Pubblicato: 2024-07-31
| Aggiornato: 2024-08-22