onsemi Transistori NPN per uso generico NST817

I transistori NPN per uso generico NST817 di onsemi sono progettati per un vasta gamma di applicazioni elettroniche, comunemente commutazione a bassa tensione, amplificazione ed elaborazione del segnale. Questi dispositivi sono alloggiati in un package DFN1010-3 che offre prestazioni termiche superiori. Grazie alle sue capacità di gestione della corrente moderate, l'NST817 di onsemi eccelle in compiti quali pilotaggio di relè, commutazione di segnali logici e funzione di amplificatore di segnale sia nei circuiti audio che in quelli a piccolo segnale. Le prestazioni affidabili rendono l'NST817 adatto anche all'uso in circuiti di oscillatori, regolazione della corrente e reti di polarizzazione. Con un'ampia funzionalità, l'NST817 trova impiego in diversi dispositivi elettronici, dall'elettronica di consumo ai sistemi di controllo industriali, fornendo una soluzione affidabile per progetti di circuiti che richiedono un funzionamento dei transistor efficiente ed efficace.

Caratteristiche

  • Package con flangia bagnabile XDFNW3 per un'ispezione ottica automatizzata (AOI) ottimale
  • Prefisso NSV per il settore automobilistico e altre applicazioni che richiedono requisiti unici di modifica del sito e controllo, qualifica AEC-Q101 e compatibilità PPAP
  • Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1
  • Privi di piombo, alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • Circuiti di commutazione
  • Amplificazione
  • Circuiti oscillatore
  • Regolazione della corrente
  • Stadio dell'amplificatore in applicazioni lineari
  • Circuiti di polarizzazione
  • Circuiti logici digitali
  • Regolazione di tensione
  • Controllo dell'alimentazione
  • Sensori basati su transistor

Specifiche

  • Tensione massima collettore-emettitore 45 VCC
  • Tensione massima collettore-base 50 VCC
  • Tensione massima emettitore-base 5,0 VCC
  • Corrente di interdizione massima collettore-base ed emettitore-base di 100 nA
  • Segnale di piccola entità
    • Frequenza di transizione tipica 180 MHz
    • Capacità di uscita tipica 4,2 pF
    • Capacità di ingresso tipica 52 pF
    • Impedenza di ingresso tipica 15 k
    • Cifra di rumore tipica 0,75 dB
  • Caratteristiche di commutazione
    • Tempo di ritardo tipico di 9,8 ns
    • Tempo di incremento tipico di 13 ns
    • Tempo di conservazione tipico di 483 ns
    • Tempo di riduzione tipico di 48 ns
  • Dissipazione di potenza totale di 350 mW a TA = +25 °C, depotenziamento di 2,8 mW/°C oltre i +25 °C
  • Resistenza termica giunzione-ambiente di 145 °C/W
  • Intervallo di temperatura di giunzione da -65 °C a +150 °C

Schema

Schema - onsemi Transistori NPN per uso generico NST817
Pubblicato: 2025-02-26 | Aggiornato: 2025-03-04