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onsemi MOSFET a canale N singolo NTBLS4D0N15MC

Il MOSFET singolo a canale N di onsemi NTBLS4D0N15MC è un MOSFET di potenza con un basso RDS(on) che riduce al minimo le perdite di conduzione. Questo MOSFET offre bassa carica totale del gate (QG) e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver. Il MOSFET NTBLS4D0N15MC di onsemi abbassa il rumore di commutazione rumore/EMI e presenta una corrente di drain continua massima di 187 A (ID) e una tensione drain-to-source di 150 V (VDSS). Le applicazioni tipiche includono utensili elettrici, aspirapolvere a batteria, veicoli aerei (UAV)/droni senza equipaggio, movimentazione dei materiali, azionamento di motori e domotica.

Caratteristiche

  • BassaRDS (on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
    • 4,4 mΩ (massimo) a 10 V
    • 4,9 mΩ (massimo) a 8 V
  • 150 V VDSS
  • 187 A ID (massimo)
  • Bassi QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver
  • Riduce il rumore di commutazione/EMI

Applicazioni

  • Utensili elettrici
  • Aspirapolvere alimentati a batteria
  • APR/droni
  • Movimentazione di materiali
  • Sistema di gestione della batteria (BMS)/stoccaggio
  • Domotica

Risorse aggiuntive

Pubblicato: 2020-09-04 | Aggiornato: 2024-06-11