NXP Semiconductors Scheda di valutazione TEA2096DB2201
La scheda di valutazione TEA2096DB2201 di NXP Semiconductors presenta un controller SR TEA2096T e due MOSFET da 150 V. Il TEA2096T è un CI di controllo dedicato per il raddrizzamento sincrono sul lato secondario dei convertitori risonanti. Incorpora due fasi per il rilevamento e il pilotaggio dei MOSFET SR. Questo raddrizza le uscite degli avvolgimenti secondari del trasformatore di regolazione centrale. Il TEA2096T ha una tensione di drain-source di 200V. Queste caratteristiche rendono la scheda di valutazione adatta ad applicazioni con una tensione di uscita fino a 60V.
Caratteristiche
- Rettifica sincrona doppia per convertitori risonanti
- Facile sostituzione dei raddrizzatori lato secondario di un convertitore risonante esistente
- Ingressi differenziali per il rilevamento indipendente delle tensioni drain e source di ciascun MOSFET SR
- Gate drive adattivo per uno spegnimento rapido alla fine della conduzione e la massima efficienza a qualsiasi carico
- Livello di regolazione di -25mV per il pilotaggio di MOSFET a bassa ohmicità
- Controllo SR senza tempo minimo di accensione
- Supporta una frequenza di commutazione di 1 MHz
- Funzione di interblocco per impedire la conduzione simultanea dei MOSFET esterni
- Ampio intervallo di tensione di alimentazione da 4,75 V a 38 V
- Supporta il funzionamento di alimentazione a 5 V con MOSFET SR a livello logico
- Corrente di alimentazione in funzionamento a risparmio energetico di 80 μA
- Protezione da blocco sottotensione (UVLO) con pull-down del gate attivo
Schema a blocchi
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Pubblicato: 2022-10-18
| Aggiornato: 2022-11-03