Nexperia MOSFET a trincea a canale P PMVxx
I MOSFET a trincea a canale P NXP sono transistor a effetto di campo (FET) ad arricchimento in un piccolo package di plastica a montaggio superficiale (SMD) SOT23 (TO-236AB). Impiegano la tecnologia MOSFET a trincea e offrono una bassa tensione di soglia e una commutazione estremamente rapida. Questi MOSFET sono ideali per applicazioni come driver di relè, driver di linea ad alta velocità, interruttori di carico a valle e circuiti di commutazione.
Features
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 2kV ESD protected
- Low on-state resistance
- Enhanced power dissipation capability of 1096mW
- Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW
Applicazioni
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side load switch
- Switching circuits
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