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WeEn Semiconductors Diodi di potenza a recupero ultrarapido NXP

I diodi di potenza ultrarapidi NXP sono progettati per avere il miglior rapporto tra tensione diretta (VF) e tempi di recupero di inversione (trr) per ridurre al minimo le perdite di potenza sia nel diodo sia nel MOSFET associato e massimizzare invece l'efficienza generale della potenza del sistema nelle applicazioni di alimentatori di commutazione (SMPS). Rappresentano una soluzione efficiente dal punto di vista dei costi rispetto all'uso della tecnologia Schottky.

Caratteristiche

  • Hyperfast switching frequency
  • Improved high power SMPS efficiency

Applicazioni

  • Printer power
  • PDP TV power
  • SMPS for PCs and servers
  • Switching adapters
  • LCD TV and monitor power
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Codice prodotto Package/involucro Tempo di recupero Vf - Tensione diretta If - Corrente diretta Scheda dati
BYC30X-600PSQ TO-220F-2 45 ns 2 V 30 A BYC30X-600PSQ Scheda dati
BYC15-600PQ TO-220AC-2 22 ns 2.7 V 15 A BYC15-600PQ Scheda dati
BYC8-600,127 TO-220AC-2 19 ns 2 V 8 A BYC8-600,127 Scheda dati
BYC8-600P,127 TO-220AC-2 19 ns 3.4 V 8 A BYC8-600P,127 Scheda dati
BYC75W-600PT2Q 50 ns 2.2 V 75 A BYC75W-600PT2Q Scheda dati
BYC10-600,127 TO-220-2 55 ns 2.9 V 10 A BYC10-600,127 Scheda dati
BYC5-600,127 TO-220-2 50 ns 2.9 V 5 A BYC5-600,127 Scheda dati
BYC8-1200PQ TO-220AC-2 46 ns 2.4 V 8 A BYC8-1200PQ Scheda dati
BYC30W-600PQ TO-247-2 29 ns 2 V 30 A BYC30W-600PQ Scheda dati
BYC5D-500,127 TO-220AC-2 16 ns 1.5 V 5 A BYC5D-500,127 Scheda dati
Pubblicato: 2015-04-23 | Aggiornato: 2022-03-11