Nexperia Transistor a bassa VCEsat NPN PBSS4310PAS-Q

Il transistor a bassa VCEsat NPN PBSS4310PAS-Q di Nexperia presenta una tensione di saturazione collettore-emettitore molto bassa, alta capacità di corrente collettore e alta efficienza, grazie alla minore generazione di calore. Il PBSS4310PAS-Q è alloggiato in un package in plastica SOT1061D (DFN2020D-3) senza piombo, piccolo dispositivo a montaggio superficiale (SMD) con capacità di media potenza e flanche bagnabili lateralmente (SWF). Il piccolo package in plastica SMD senza piombo con pad laterali saldabili riduce i requisiti di spazio della scheda a circuito stampato (PCB).

Caratteristiche

  • tensione di saturazione collettore-emettitore molto bassa VCEsat
  • Elevata capacità di corrente collettore IC e ICM
  • Elevato guadagno di corrente collettore (hFE) ad alto IC
  • Alta efficienza energetica grazie alla minore generazione di calore
  • Applicazioni ad alta temperatura fino a 175°C
  • Requisiti di spazio ridotti della scheda a circuito stampato (PCB)
  • Package SMD piccolo senza piombo con pad laterali saldabili
  • Dissipatore di calore esposto per un’eccellente conduttività termica ed elettrica
  • Adatto per l’ispezione ottica automatica (AOI) del giunto di saldatura
  • Omologati secondo AEC-Q101 e consigliati per l’uso in applicazioni automobilistiche

Applicazioni

  • Regolazione di tensione lineare
  • Interruttore di carico
  • Dispositivi alimentati a batteria
  • Gestione dell'energia
  • Circuiti di carica
  • Interruttori di alimentazione (ad es. motori, ventole)

Assegnazione dei pin

Disegno meccanico - Nexperia Transistor a bassa VCEsat NPN PBSS4310PAS-Q
Pubblicato: 2022-05-12 | Aggiornato: 2023-07-05