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Nexperia Diodo ideale NID1100 a basso drop di tensione in avanti

Il diodo ideale a bassa caduta di tensione diretta NID1100 Nexperia è progettato per applicazioni che richiedono gestione dell'energia efficiente. Operando su un intervallo di tensione in ingresso da 1,5 V a 5,5 V Nexperia NID1100 supporta fino a 1 A di corrente continua. Questo diodo è dotato di blocco della tensione inversa e diretta, il che lo rende un'eccellente sostituzione per i convenzionali diodi SCHOTTKY nei sistemi a bassa tensione. Il NID1100 offre una caduta di tensione diretta tipica di soli 120 mV a 3,6 V all'ingresso e alla corrente di carico 1 A, riducendo significativamente la perdita di potenza. Il diodo include robusti meccanismi di protezione come la limitazione della corrente in caso di cortocircuito e l'arresto in caso di sovra-temperatura. Inoltre, il NID1100 è disponibile in un package compatto SOT753 (SC-74A) e funziona in modo efficiente in un ampio intervallo di temperatura da -40°C a +125°C.

Caratteristiche

  • Intervallo di tensione in ingresso da 1,5 V a 5,5 V
  • Bassa caduta di tensione diretta tipico (VFWD) 120 mV all'ingresso 3,6 V e alla corrente di carico 1 A
  • Blocco della tensione inversa sempre, bassa corrente di dispersione quando polarizzata inversamente
  • Blocco della tensione diretta quando disattivato
  • Bassa corrente di riposo
  • Risposta transitoria del carico potenziato
  • Tempo di incremento controllato all'avvio
  • Protezione da sovratemperatura
  • Protezione da cortocircuito
  • Configurazioni OR supportate
    • Due o più dispositivi NID1100
    • NID1100s e diodi SCHOTTKY convenzionali
    • NID1100 e un PMOS esterno
  • SOT753 (SC-74A) package plastico da 5 pin per montaggio superficiale
  • Intervallo di temperatura di giunzione: da -40 °C a +125 °C (TJ)

Applicazioni

  • Sistemi Internet delle cose (IoT)
  • Gas e contatori intelligenti
  • Rilevatori di CO
  • Sistemi di alimentazione di riserva con batteria
  • Dispositivi alimentati tramite USB

Specifiche

  • Intervallo di tensione di uscita da 0 V a 5,5 V
  • Portata di corrente di uscita continua massima da 50 mA a 1 A
  • Corrente di interruttore impulsivo massima di 1,5 A
  • Intervallo di tensione del pin EN da 0 V a 5,5 V
  • Intervallo di corrente da 0 mA a 0,5 mA nel pin ST
  • Intervallo di capacità totale da 0,3 pF a 100 pF all'uscita, inclusi depotenziamenti e tolleranze
  • Tensione
    • Corrente di riposo massima in ingresso 725nA, tipica 562nA
    • Spegnimento massimo dell'ingresso 250nA corrente 108nA tipica
  • Portata della caduta di tensione diretta del FET da 70 mV a 180 mV
  • Pin di stato
    • Soglia bassa di stato massima di 0,3 V
    • Corrente di dispersione del pin di stato di ±75 nA
  • Protezione da cortocircuiti oltre il limite di corrente tipica 2,8 A
  • Spegnimento tipico per sovratemperatura
    • Spegnimento a +175 °C
    • Isteresi a +35 °C
  • Resistenza termica secondo JEDEC51-5 e -7
    • Giunzione-ambiente 206°C/W
    • Giunzione-parte superiore parametro di caratterizzazione 111°C/W
  • Valori ESD
    • ±2.000 V Modello di corpo umano (HBM) per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 classe 2
    • ±500 V Modello di dispositivo caricato (CDM) per ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 classe C2a

Schema di applicazione semplificato

Schema di circuito di applicazione - Nexperia Diodo ideale NID1100 a basso drop di tensione in avanti

Diagramma a blocchi

Schema a blocchi - Nexperia Diodo ideale NID1100 a basso drop di tensione in avanti

Strumento di sviluppo

Nexperia Scheda di valutazione NEVB-NID1100UL

Agevola la prova e la valutazione del diodo ideale NID1100.

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Pubblicato: 2025-04-02 | Aggiornato: 2025-04-08