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Nexperia MOSFET per il settore automobilistico LFPAK88 Trench 9

I MOSFET automobilistici a trincea 9 LFPAK88 di Nexperia forniscono un’alternativa a D2PAK fornendo una densità di potenza leader del settore in un ingombro innovativo di 8 mm x 8 mm. Questi MOSFET di Nexperia offrono corrente continua 2 volte superiore, prestazioni termiche e affidabilità ottimali e fino a 60% di efficienza di spazio. I MOSFET automobilistici a trincea 9 LFPAK88 di Nexperia sono disponibili nelle versioni AEC-Q101 automobilistiche e industriali.

Caratteristiche

  • Completamente qualificato per il settore automobilistico oltre AEC-Q101
  • Valori nominali da -55 °C a +175 °C, idonei per ambienti difficili dal punto di vista termico
  • Package LFPAK88
    • Progettati per un ingombro più ridotto e una migliore densità di potenza rispetto ai più vecchi package con cavi saldati come D2PAK, per le odierne applicazioni automobilistiche ad alta potenza e spazio limitato
    • Il package sottile e la clip in rame consentono all'LFPAK88 di ottenere un'elevata resa termica
  • La tecnologia a clip in rame dell'LFPAK consente miglioramenti rispetto ai package con cavi saldati
    • Maggiore capacità di corrente massima ed eccellente diffusione di corrente
    • RDS (on) migliorata
    • Bassa induttanza di sorgente
    • Bassa resistenza termica Rth
  • Conduttori ad ala di gabbiano LFPAK
    • I conduttori flessibili consentono di assorbire le sollecitazioni di ciclo meccaniche e termiche ad alto livello di affidabilità della scheda, a differenza dei tradizionali package QFN
    • Ispezione visiva (AOI) della saldatura, non necessita di costose apparecchiature a raggi X
    • Facile inumidimento di saldatura per un buon giunto di saldatura meccanico
  • Esclusiva tecnologia a trincea 9 40 V
    • Il passo della cella ridotto e la piattaforma a supergiunzione consentono una minore RDSon con lo stesso ingombro
    • Migliore capacità SOA ed effetto valanga rispetto a TrinceaMOS standard
    • I limiti stretti sulla VGS (th) consentono un facile collegamento in parallelo dei MOSFET

Applicazioni

  • Sistemi automobilistici a 12 V
  • Sistemi CC/CC da 48 V sul lato secondario da 12 V
  • Motori, lampade e controlli a solenoide potenziati
  • Protezione contro l'inversione di polarità
  • Illuminazione a LED
  • Commutazione di potenza ad altissime prestazioni

Note applicative

Schemi LFPAK88

Grafico - Nexperia MOSFET per il settore automobilistico LFPAK88 Trench 9

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Codice prodotto Scheda dati Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Qg - Carica del gate
BUK7S1R2-40HJ BUK7S1R2-40HJ Scheda dati 43 V 300 A 2.6 mOhms 80 nC
BUK7S2R5-40HJ BUK7S2R5-40HJ Scheda dati 40 V 140 A 2.5 mOhms 38 nC
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLHX Scheda dati 50 V 200 A 1.75 mOhms 117 nC
BUK7S0R5-40HJ BUK7S0R5-40HJ Scheda dati 40 V 500 A 500 uOhms 190 nC
PSMN2R0-55YLHX PSMN2R0-55YLHX Scheda dati 55 V 200 A 2.1 mOhms 119 nC
BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40HJ Scheda dati 43 V 260 A 3.27 mOhms 67 nC
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Scheda dati 40 V 325 A 1 mOhms 98 nC
BUK7S2R0-40HJ BUK7S2R0-40HJ Scheda dati 40 V 190 A 2 mOhms 50 nC
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40HJ Scheda dati 40 V 425 A 700 uOhms 144 nC
Pubblicato: 2020-08-21 | Aggiornato: 2024-05-03