Wolfspeed MOSFET SiC discreti C4MS da 1.200 V
I MOSFET discreti al carburo di silicio (SiC) C4MS da 1.200 V di Wolfspeed garantiscono prestazioni senza pari nelle applicazioni hard-switch. La famiglia C4MS utilizza un diodo di corpo veloce e soft che consente una commutazione rapida con oscillazioni e sovraccarichi minimi, ampliando così lo spazio di progettazione utilizzabile per gli ingegneri, consentendo loro di regolare e ottimizzare le prestazioni nell'applicazione. La famiglia C4MS offre perdite Eon, ERR ed Eoff migliorate rispetto alla famiglia di dispositivi C3M, mantenendo al contempo un basso coefficiente di temperatura RDS(on). Questo approccio equilibrato offre prestazioni e efficienza massime in una vasta gamma di topologie sia a commutazione dura che a commutazione morbida.
Oltre a prestazioni di commutazione migliorate, la famiglia Wolfspeed C4MS da 1.200 V offre capacità di sovratensione transitoria, maggiore durata a tensioni di bus elevate e ampia compatibilità con la tensione di gate, garantendo una capacità di drop-in semplificata.
Caratteristiche
- Basso Eon ed ERR
- Diodo a corpo morbido con basso sovraccarico e risonanza
- Basso coefficiente di temperatura RDS(on)
- Alto rapporto Ciss/Crss
- Ampia compatibilità della tensione di gate [-4 V a 0 V/15 V a 18 V]
- Elevata compatibilità con tensione transitoria
- Il package U2 è compatibile pin-to-pin con altri package raffreddati dalla parte superiore (TSC)
- Ideale per applicazioni con commutazione rigida
- Perdite inferiori consentono una maggiore efficienza nella frequenza di commutazione e nei requisiti di raffreddamento
- Consente l'ottimizzazione del rapporto qualità-prezzo a livello di sistema
Applicazioni
- Drive industriali a bassa tensione
- Alimentazione
- Drive
- Carica rapida
- Sistemi di conservazione dell'energia
- Solare (applicazioni commerciali)
Package
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| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione |
|---|---|---|
| C4MS025120J2-TR |  |
MOSFET SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial |
| C4MS025120K | |
MOSFET SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial |
| C4MS025120K1 | |
MOSFET SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial |
| C4MS025120U2-TR | |
MOSFET SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial |
| C4MS036120J2-TR | |
MOSFET SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial |
| C4MS036120K | |
MOSFET SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial |
| C4MS036120K1 | |
MOSFET SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial |
| C4MS036120U2-TR | |
MOSFET SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2), Industrial |
| C4MS047120J2-TR | |
MOSFET SiC SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial |
| C4MS047120K | |
MOSFET SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial |
Pubblicato: 2025-12-02
| Aggiornato: 2025-12-19