Vishay / Siliconix MOSFET Gen IV TrenchFET®
I MOSFET Gen IV TrenchFET® di Vishay/Siliconix offrono una bassa resistenza in conduzione del settore e una bassa carica totale del gate in package SO-8 e 1212-8S PowerPAK®. Questi MOSFET Gen IV TrenchFET presentano una RDS(on) estremamente bassa, che si traduce in perdite di conduzione inferiori per una riduzione del consumo energetico. I MOSFET TrenchFET sono disponibili anche con package 1212-8 PowerPAK® che consentono di risparmiare spazio con un'efficienza simile e un terzo delle dimensioni. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta potenza, raddrizzamento sincrono, microinverter solari e interruttori per unità di azionamento motore.
I MOSFET TRenchFET sono disponibili in un ampio intervallo di MOSFET di potenza e una vasta selezione di package avanzati, quali tensioni di rottura da -200 V a 800 V e una vasta gamma di tensioni del gate drive di 1,2 V. Questi MOSFET sono ottimizzati con la più bassa Rds(on) per applicazioni di commutazione del carico, la più bassa carica del gate e capacità per una commutazione rapida. I MOSFET sono differenziati con TrenchFET a bassa e a media tensione.
I TrenchFET a bassa tensione presentano alta efficienza, maggiore densità di potenza e sono dotati di package salvaspazio. Questi ultimi sono ideali per elettronica di consumo, droni, computer e apparecchiature di telecomunicazioni.
I TrenchFET a media tensione presentano dispositivi compatti e altamente efficienti che consentono l'ottimizzazione del layout, la riduzione del numero di componenti e permettono di ottenere la massima efficienza. Sono ideali per alimentatori, unità di azionamento motore ed energia rinnovabile.
I MOSFET SkyFET di Vishay Siliconix fanno parte dell'offerta di MOSFET di potenza Gen IV TrenchFET di Vishay Siliconix.
Caratteristiche
- DS(on)S = 4,5 V
- RDS(on) ultra-bassa di 0,001 Ω a VGS= 10 V
- Immunità migliorata a un accoppiamento del gate CdV/dt
- Qgd molto basso e rapporto Qgd/Qgs eccezionalmente basso a <0,5
- Il rapporto Qgd/Qgs scende a 0,3.
Applicazioni
- Raddrizzamento sincrono
- Interruttori lato primario
- Convertitori CC/CC
- Brick per le telecomunicazioni
- PC.
- Server
- Interruttore adattatore e caricatore
- Interruttori di carico
- Interruttori di unità di azionamento motore
- Settore industriale
Infografica sui MOSFET di potenza
Infografica sui MOSFET a bassa potenza
Infografica sui MOSFET di potenza a media tensione
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