Vishay / Siliconix MOSFET Superjunction in PowerPAK® 10 x 12
I MOSFET Superjunction Vishay / Siliconix in confezione PowerPAK® 10 x 12 sono dotati di tecnologia di alimentazione. Questi MOSFET di potenza ottimizzano l'efficienza energetica, mentre il RDS(on) minimizza la perdita di potenza durante la conduzione, garantendo un funzionamento efficiente. Questi componenti sono testati al 100% Rg e UIS. I MOSFET Superjunction Vishay / Siliconix migliorano la dissipazione di potenza e riducono la resistenza termica (RthJC). Le applicazioni tipiche includono la rettifica sincrona, l'automazione e le fonti di alimentazione.
Caratteristiche
- Ottima capacità termica
- Tecnologia di ultima generazione della serie E
- Bassa cifra di merito (FOM) Ronx Qg
- Bassa capacitanza efficace (Co(er))
- Aumento dell'efficienza del sistema
Applicazioni
- Alimentatori
- Data centre
- Telecomunicazioni
- PC da gioco
- Inverter solari/PV
- Automazione
Specifiche
- Design a basso profilo: 9,9 mm x 11,7 mm x 2,3 mm
- Pacchetto senza terminale TO
- Connessione integrata della sorgente Kelvin
Infografica
Risorse aggiuntive
MOSFET in primo piano
Vishay / Siliconix MOSFET Gen IV TrenchFET®
Offrono una bassa resistenza in conduzione del settore fino a 1,35 mΩ a 4,5 V.
Vishay / Siliconix MOSFET di potenza Gen V TrenchFET® con VDS
Aumenta l’efficienza di conversione di potenza con una cifra di merito (FOM) RDS x Qg molto bassa.
Vishay / Siliconix MOSFET SiJK140E (D-S) 40 V a canale N
Presenta la tecnologia di alimentazione TrenchFET® Gen V ideale per la rettifica sincrona e l'automazione.
Pubblicato: 2025-05-09
| Aggiornato: 2025-05-22