Vishay / Siliconix MOSFET SiSD5300DN a canale N 30 V
Il MOSFET a canale N SiSD5300DN 30 V di Vishay/Siliconix è un MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V che utilizza la tecnologia source flip che migliora le prestazioni termiche. Operando in un intervallo di temperatura di giunzione da -55°C a +150°C, il SiSD5300DN presenta una resistenza drain-source e una cifra di merito di carica del gate (FOM) molto basse. Le applicazioni includono convertitori CC/CC, raddrizzamento sincrono, gestione della batteria, O-ring e interruttori di carico.
Caratteristiche
- MOSFET di potenza Gen V TrenchFET
- Cifra di merito (FOM) RDS x QG molto bassa
- La tecnologia di inversione della sorgente migliora le prestazioni termiche
- 100% Rg e UIS testato.
- Configurazione singola
- Tipo di package PowerPAK® 1212-F
- Senza piombo, senza alogeni e conforme a RoHS
Applicazioni
- Convertitore CC/CC
- Raddrizzamento sincrono
- Gestione della batteria
- Interruttori di carico e O-ring
Specifiche
- Tensione drain-source massima 30 V
- Tensione gate-source massima +16 V/-12 V
- Corrente di drain a impulsi massima 500 A
- Corrente di drain continua 198 A
- Resistenza in conduzione drain-source 87 + Ω
- Dissipazione di potenza 57 W
- Tensione di soglia gate-source 2 V
- Carica del gate 27 nC
- Tempo di salita 90 ns
- Tempo di discesa 15 ns
- Corrente a valanga a impulso singolo massima 38 A
- Energia valanga a impulso singolo massima 72mJ
- Intervallo di temperatura di funzionamento della giunzione da -55 °C a +150 °C
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Ideali per applicazioni di commutazione, vantano una resistenza in conduzione di circa 1 mΩ.
Pubblicato: 2024-02-23
| Aggiornato: 2024-03-07