Vishay / Siliconix MOSFET a canale N da 100 V SiS890ADN
Il MOSFET a canale N da 100 V SiS890ADN Vishay / Siliconix offre una tensione drain-source da 100 VCC, corrente di drain a impulsi di 40 A e una singola configurazione. Il MOSFET SiS890ADN presenta una cifra di merito (FOM) bassa RDS x Qg insieme alla potenza di 4ª generazione TrenchFET®. Questo MOSFET è testato al 100% Rg e UIS. Il MOSFET a canale N da 100 V SiS890ADN di Vishay è ideale per raddrizzamento sincrono, interruttori sul lato primario, convertitori CC/CC e protezione dei circuiti.
Caratteristiche
- MOSFET di potenza di 4ª generazione TrenchFET
- Cifra di merito (FOM) RDS x Qg bassa
- Tarato per avere una FOM RDS x Qoss più bassa
- Testati al 100% per Rg e UIS
- Conformità a RoHS
- Privi di alogeni
Applicazioni
- Raddrizzamento sincrono
- Interruttori lato primario
- Convertitori CC/CC
- Interruttori di unità di azionamento motore
- Protezione circuiti
- Interruttori di carico
Dimensioni
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Pubblicato: 2020-11-19
| Aggiornato: 2024-12-16