Vishay Semiconductors MOSFET (D-S) a canale N SI78
I MOSFET SI78 a canale N (D-S) di Vishay Semiconductorssono disponibili in un nuovo package PowerPAK® a bassa resistenza termica con un profilo ridotto di 1,07 mm. Questi MOSFET a canale N (DS) sono ottimizzati PWM, testati per 100% Rg , privi di alogeni e conformi a RoHS. I MOSFET SI78 sono utilizzati in convertitori CC/CC, interruttori del lato primario per applicazioni CC/CC e raddrizzatori sincroni.
Caratteristiche
- Nuovo package PowerPAK® a bassa resistenza termica con basso profilo 1.07mm
- Testati al 100% Rg
- Privo di alogeni
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Convertitori CC/CC
- Interruttori lato primario per applicazioni CC/CC
- Rettificatori sincroni
Dimensioni package
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| Codice prodotto | Scheda dati | Package/involucro | Vds - Tensione di rottura drain-source | Id - corrente di drain continua | Rds On - Drain-source sulla resistenza | Qg - Carica del gate | Pd - Dissipazione di potenza | Transconduttanza diretta - Min | Tempo di caduta | Tempo di salita | Ritardo di spegnimento tipico | Tipico ritardo di accensione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7848BDP-T1-E3 |  |
PowerPAK-SO-8 | 40 V | 47 A | 9 mOhms | 33 nC | 36 W | 56 S | 10 ns | 12 ns | 25 ns | 25 ns |
| SI7812DN-T1-E3 | |
PowerPAK-1212-8 | 75 V | 16 A | 37 mOhms | 16 nC | 52 W | 23 S | 50 ns | 130 ns | 35 ns | 20 ns |
| SI7812DN-T1-GE3 | |
PowerPAK-1212-8 | 75 V | 16 A | 37 mOhms | 16 nC | 52 W | 23 S | 50 ns | 130 ns | 35 ns | 20 ns |
| SI7898DP-T1-E3 | |
PowerPAK-SO-8 | 150 V | 3 A | 85 mOhms | 17 nC | 1.9 W | 15 S | 17 ns | 10 ns | 24 ns | 9 ns |
| SI7846DP-T1-GE3 | |
PowerPAK-SO-8 | 150 V | 24.5 A | 50 mOhms | 30 nC | 1.9 W | 18 S | 10 ns | 7 ns | 22 ns | 12 ns |
| SI7806ADN-T1-E3 | |
PowerPAK-1212-8 | 30 V | 9 A | 11 mOhms | 13.2 nC | 1.5 W | 32 S | 10 ns | 10 ns | 33 ns | 13 ns |
| SI7898DP-T1-GE3 | |
PowerPAK-SO-8 | 150 V | 3 A | 85 mOhms | 17 nC | 1.9 W | 15 S | 17 ns | 10 ns | 24 ns | 9 ns |
| SI7850ADP-T1-GE3 | |
PowerPAK-SO-8 | 60 V | 12 A | 19.5 mOhms | 11.1 nC | 35.7 W | 39 S | 10 ns | 21 ns | 10 ns | 7 ns |
| SI7892BDP-T1-GE3 | |
PowerPAK-SO-8 | 30 V | 15 A | 4.2 mOhms | 27 nC | 1.8 W | 85 S | 20 ns | 13 ns | 62 ns | 20 ns |
| SI7880ADP-T1-E3 | |
PowerPAK-SO-8 | 30 V | 40 A | 3 mOhms | 84 nC | 83 W | 120 S | 30 ns | 14 ns | 96 ns | 20 ns |
Pubblicato: 2024-01-09
| Aggiornato: 2024-01-24