Vishay MOSFET Si71
I MOSFET Vishay Si71 sono dotati della tecnologia MOSFET di potenza TrenchFET®Gen III nei contenitori PowerPAK ® 1212-8 e PowerPak SO-8 a bassa resistenza termica. I MOSFET sono testati 100% Rg e UIS, garantendo affidabilità e prestazioni. I MOSFET a canale N e P sono privi di alogeni secondo la definizione IEC 61249-2-21. Questi MOSFET compatti sono ideali per applicazioni in cui la gestione termica e dello spazio sono fondamentali.
Caratteristiche
- MOSFET di potenza TrenchFET Gen III
- Integrati a bassa resistenza termica
- PowerPak 1212-8
- PowerPak SO-8
- Intervallo da 12V a 250V
- Intervallo temperatura di funzionamento da -55°C a +150°C
- Testato al 100% per Rg e UIS
- Senza piombo, conforme a RoHS e senza alogeni
Applicazioni
- Notebook
- Gestione della batteria
- Risparmio energetico
- Adattatore/interruttori di carico
- Interruttori lato primario
- Controllo dell'unità motore
- Convertitori bus intermedi
- Raddrizzamento sincrono
- Dispositivi di protezione
- Hot-swap
- CC/CC ad alta densità di potenza
- Illuminazione a LED
- Punto di carico (POL)
- Telecomunicazioni fisse
- Settore industriale
MOSFET correlati
Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs
Industry-best on-resistance in a variety of package configurations.
Vishay Semiconductors Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs
Includes variety of package styles with industry leading small footprint and on-resistance ratings.
Vishay Semiconductors TrenchFET® Gen III Power MOSFETs
Offers low on-resistance and on-resistance times gate charge.
Vishay / Siliconix MOSFET Gen IV TrenchFET®
Offrono una bassa resistenza in conduzione del settore fino a 1,35 mΩ a 4,5 V.
Pubblicato: 2024-01-12
| Aggiornato: 2024-09-12