Vishay MOSFET a canale N 60 V e 100 V (D-S) PowerPAK

I MOSFET (D-S) a canale N da 60 V e 100 V  di Vishay   presentano la tecnologia TrenchFET® Gen IV, bassa resistenza in conduzione e una resistenza termica estremamente bassa. Questi dispositivi presentano inoltre una bassissima carica del gate e carica di uscita, riducendo la perdita di potenza   e migliorando l’efficienza.   Il package compatto PowerPAK ® SO-8 da 6,15 mm x 5,13 mm offre un’alternativa salvaspazio alle soluzioni tradizionali TO-220 e TO-263.

Caratteristiche

  • MOSFET di potenza di 4a generazione TrenchFET®
  • La carica del gate (Qg) e la carica di uscita (Qoss) molto basse riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza
  • I cavi flessibili forniscono resilienza alle sollecitazioni meccaniche
  • Testati al 100% per Rg e UIS
  • Il rapporto Qgd/Qgs <1 ottimizza le caratteristiche di commutazione
  • Conforme a RoHS e privo di alogeni

Applicazioni

  • Raddrizzamento sincrono
  • CC-CC ad alta densità di potenza
  • Invertitori CC-CA
  • Microinverter solari
  • Convertitori Boost
  • Retroilluminazione a LED

Infografica

Vishay MOSFET a canale N 60 V e 100 V (D-S) PowerPAK
Pubblicato: 2020-03-19 | Aggiornato: 2024-12-17