Vishay MOSFET a canale N 60 V e 100 V (D-S) PowerPAK
I MOSFET (D-S) a canale N da 60 V e 100 V di Vishay presentano la tecnologia TrenchFET® Gen IV, bassa resistenza in conduzione e una resistenza termica estremamente bassa. Questi dispositivi presentano inoltre una bassissima carica del gate e carica di uscita, riducendo la perdita di potenza e migliorando l’efficienza. Il package compatto PowerPAK ® SO-8 da 6,15 mm x 5,13 mm offre un’alternativa salvaspazio alle soluzioni tradizionali TO-220 e TO-263.Caratteristiche
- MOSFET di potenza di 4a generazione TrenchFET®
- La carica del gate (Qg) e la carica di uscita (Qoss) molto basse riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza
- I cavi flessibili forniscono resilienza alle sollecitazioni meccaniche
- Testati al 100% per Rg e UIS
- Il rapporto Qgd/Qgs <1 ottimizza le caratteristiche di commutazione
- Conforme a RoHS e privo di alogeni
Applicazioni
- Raddrizzamento sincrono
- CC-CC ad alta densità di potenza
- Invertitori CC-CA
- Microinverter solari
- Convertitori Boost
- Retroilluminazione a LED
Infografica
Pubblicato: 2020-03-19
| Aggiornato: 2024-12-17
