Vishay Semiconductors Moduli di potenza MOSFET SiC PressFit MAACPAK
I moduli di potenza MOSFET SiC PressFit MAACPAK di Vishay Semiconductors sono moduli da 1200 V progettati per aumentare l'efficienza e l'affidabilità nelle applicazioni a media e alta frequenza nei sistemi automobilistici, energetici, industriali e delle telecomunicazioni. Con rispettivamente quattro e sei MOSFET nel package MAACPAK PressFit a basso profilo, i modelli VS-MPY038P120 e VS-MPX075P120 di Vishay semiconduttori combinano la tecnologia avanzata del carburo di silicio (SiC) con una robusto struttura in stampo di trasferimento. I moduli di potenza integrano MOSFET SiC con un termistore NTC per il rilevamento della temperatura e diodi SiC intrinseci veloci con recupero inverso ridotto. Il risultato è una riduzione delle perdite di commutazione e un aumento dell'efficienza.
Per una maggiore affidabilità, la tecnologia di stampaggio robusto dei VS-MPY038P120 e VS-MPX075P120 consente ai dispositivi di ottenere cicli di vita del prodotto più lunghi rispetto alle soluzioni tradizionali disponibili sul mercato, migliorando al contempo la resistenza termica. Per una commutazione più efficiente e pulita, il profilo ribassato dei moduli di potenza MAACPAK contribuisce a ridurre l'induttanza parassita e le interferenze elettromagnetiche (EMI), risparmiando al contempo spazio. I pin PressFit dei moduli sono disposti in una matrice che aderisce ai layout standard del settore, consentendo una facile sostituzione delle soluzioni concorrenti nei progetti esistenti per migliorare le prestazioni.
Caratteristiche
- MOSFET di potenza integrato in carburo di silicio
- Diodo intrinseco veloce integrato con recupero inverso ridotto (Qrr)
- Termistori NTC integrati per il rilevamento della temperatura
- Alta tensione di blocco di 1.200 V con bassa resistenza di conduzione (fino a 38 Ω)
- Commutazione ad alta velocità con bassa capacità elettrica
- Temperatura di giunzione massima di +175 °C
- Tecnologia di bloccaggio dei pin PressFit
- Opzioni di configurazione del circuito
- Inverter a ponte completo (VS-MPY038P120)
- Inverter trifase (VS-MPX075P120)
- Struttura robusta dello stampo di trasferimento
- Package MAACPAK PressFit a basso profilo
- In attesa di riconoscimento UL
- Senza piombo, senza alogeni e conforme a RoHS
Applicazioni
- Caricatori EV
- Server e unità di alimentazione (PSU) per telecomunicazioni
- Gruppo statico di continuità (UPS)
- Caricabatterie esterni per veicoli elettrici (EV) e ibridi elettrici (HEV)
- Comandi di motori
- Apparechiatura saldata
- Inverter solari
- Alimentatori a commutazione (SMPS)
- Convertitori CC/CC
- Sistemi HVAC
- Sistemi di conservazione della batteria su larga scala
Specifiche
- MOSFET
- Tensione massima drain-to-source di 1.200 V
- Corrente di drain continua a 15 V di tensione dal gate alla sorgente
- Da 35 A a 43 A massimo per VS-MPY038P120
- Da 18 A a 22 A massimo per VS-MPX075P120
- Portata massima di corrente di drain da 100 A a 180 A
- Portata di dissipazione di potenza massima da 47,5 W a 93 W
- Tensione massima dal gate ala sorgente di -8 V/+19 V, intervallo di funzionamento consigliato di -4 V/+15 V
- Modulo
- Intervallo di temperatura di giunzione massima da -55 °C a +175 °C
- Portata ditemperatura di giunzione di funzionamento massima da -40 °C a +150 °C
- Intervallo temperatura di conservazione da -40 °C a +150 °C massimo
- Tensione di isolamento massima 3500 V RMS
- Tensione di rottura minima drain-to-source 1.200 V
- Portata resistenza statica drain-to-source da 33 mΩ a 128 mΩ
- intervallo di tesione di soglia del gate da 1,6 V a 3,8 V
- -5.9mV/°C a -5.0mV/°C tipico coefficiente di temperatura di intervallo di tesione di soglia
- Transconduttanza diretta tipica da 12,4S a 27,3S
- 60 μA a 120 μA portata massima della corrente di dispersione drain-to-source
- ±250 nA dispersione massima gate-to-source
- Portata di carica totale tipica del gate da 56 nC a 100 nC
- Portata di carica tipica da gate a sorgente da 17 nC a 33 nC
- portata di carica tipica gate-drain (Miller) da 18 nC a 27 nC
- Da 0,193mJ a 0,508mJ di portata di energia di commutazione di accensione tipica
- Da 0,074mJ a 0,152mJ di portata di energia di commutazione di spegnimento tipica
- Portata di tempo di ritardo di accensione tipico da 13 ns a 15 ns
- Portata del tempo di incremento tipico da 12 ns a 14 ns
- Portata del tempo di ritardo di spegnimento tipico da 35 ns a 44 ns
- Portata del tempo di decadimento tipico da 10 ns a 11 ns
- Portata di capacità di ingresso tipico da 1.489 pF a 2.979 pF
- Portata di capacità di uscita tipica da 85 pF a 91 pF
- Intervallo di capacità di trasferimento inverso tipico da 6,1 pF a 8,9 pF
- Valutazioni e caratteristiche sorgente-drain
- Portata di corrente massima della sorgente pulsata da 100 A a 189 A (diodo corporeo)
- Portata tipica di tensione diretta del diodo da 5,75 V a 5,96 V
- Portata di tempo tipico di recupero inverso da 14,4 ns a 15 ns
- Portata di carica di recupero inverso tipica da 198 nC a 346 nC
- Carica di recupero inversa tipica da 26 A a 38,3 A
- Termistore NTC interno
- Resistenza di 10 KΩ
- Costante B di 3.430 K ±3%
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -40 °C a +150 °C a potenza zero
- Fattore di dissipazione 3,5 mW/K
- Costante di tempo termica ≈10 s
- Resistenza termica
- Portata tipica da giunzione a dissipatore da 0,9°C/W a 1,8°C/W
- 0,1°C/W tipico da alloggiamento allo scarico
- Dati meccanici
- Portata di coppia di montaggio da 0,7 Nm a 1,7 Nm (M3)
- Peso tipico 16 g
- Package MAACPAK
Scheda dati
- VS-MPY038P120 Modulo di potenza con tecnologia PressFit MAACPAK, con MOSFET al carburo di silicio per inverter a ponte completo, 38 mΩ
- Modulo di potenza con tecnologia MAACPAK PressFit VS-MPX075P120, inverter trifase 1.200 V MOSFET al carburo di silicio, 75 mΩ
Configurazione circuito
Pubblicato: 2025-12-16
| Aggiornato: 2025-12-23