Vishay Progetto di riferimento eFuse bidirezionale Design 50A 800VDC

Maggiori informazioni su Vishay

Il progetto di riferimento eFuse bidirezionale 800 V_CC 50 A di Vishay presenta MOSFET SiC e un fotoaccoppiatore VOA300, che gestisce la potenza continua fino a 40 kW. La scheda opera costantemente a potenza piena con perdite di 25 W e senza richiedere un raffreddamento attivo. Il design include una funzione di precarico, monitoraggio della corrente continua e protezione da sovracorrente con spegnimento in caso di guasto in soli 2,5 μs. La costruzione eFuse utilizza una PCB a quattro strati standard (FR4) a doppia faccia di rame con spessore di 70 μm per ogni strato. Le dimensioni complessive sono 150 mm x 90 mm, con alcuni connettori che si estendono oltre i bordi. La parte superiore della PCB ospita circuiti ad alta tensione (12 MOSFET SIC SCT4020), mentre la parte inferiore contiene circuiti di controllo a bassa tensione con connettori, pulsanti di controllo, LED di stato e molteplici punti di prova. Il progetto di riferimento eFuse bidirezionale 800 V_CC 50 A di Vishay può essere abilitato o disabilitato usando i pulsanti ON/OFF sulla PCB o tramite un controller esterno.

Caratteristiche

Include dei MOSFET SIC e un fotoaccoppiatore VOA300
Gestisce potenza continua fino a 40 kW
Funziona costantemente a potenza piena con perdite < 25 W e senza raffreddamento attivo
Funzione di precarico
Monitoraggio continuo della corrente
Protezione dalle sovracorrenti con spegnimento < 2,5 μs
PCB a quattro strati standard (FR4) di rame con 70 μm di spessore per ogni strato

Dimensioni 150 mm x 90 mm con alcuni connettori che si estendono oltre il bordo
La parte superiore della PCB ospita circuiti ad alta tensione (12 MOSFET SIC SCT4020)
La oparte inferiore della PCB presenta un circuito di controllo a bassa tensione con connettori, pulsanti di controllo, LED di stato e molteplici punti di prova
Può essere abilitato o disabilitato usando i pulsanti ON/OFF sulla PCB o tramite un controller esterno