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Toshiba MOSFET a canale N in silicio TKx

I MOSFET a canale N in silicio TKx di Toshiba sono disponibili nei tipi U-MOSX-H e DTMOSVI e offrono caratteristiche prestazionali eccezionali. Questi MOSFET sono progettati con tempi di recupero inverso rapidi che migliorano l'efficienza nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità riducendo il ritardo tra gli stati di spegnimento e accensione. La bassa resistenza in conduzione drain-source [RDS(on)] contribuisce a minimizzare le perdite di potenza e a migliorare la gestione termica, rendendoli ideali per applicazioni che richiedono la gestione di alta corrente con bassa dissipazione di energia.

Caratteristiche

  • Tipi U-MOSX-H e DTMOSVI
  • Tempi di recupero di inversione rapidi
    • Intervallo tipico da 40 ns a 52 ns per U-MOSX-H
    • 135 ns tipico per DTMOSVI
  • Basse resistenza in conduzione drain-source
    • Intervallo tipico da 4,1 mΩ a 8 mΩ per U-MOSX-H
    • 0,052 Ω tipico per DTMOSVI
  • Intervalli ad arricchimento
    • Da 3,1 V a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = da 1,1 mA a 2,2 mA) per U-MOSX-H
    • Da 3,5 V a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,69 mA) per DTMOSVI
  • Proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità (DTMOSVI)
  • Intervallo di carica di recupero inverso tipico da 32 nC a 55 nC (U-MOSX-H)
  • Intervallo di carica del gate tipico da 17 nC a 26 nC (U-MOSX-H)
  • Corrente di dispersione massima 10 µA (U-MOSX-H)

Applicazioni

  • Regolatori di tensione di commutazione
  • Convertitori CC-CC ad alta efficienza (U-MOSX-H)
  • Driver per motori (U-MOSX-H)
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Codice prodotto Scheda dati Package/involucro Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Qg - Carica del gate Pd - Dissipazione di potenza Tempo di salita Tempo di caduta
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5,RQ Scheda dati TOLL-9 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 50 nC 230 W 17 ns 4 ns
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5,RQ Scheda dati TOLL-9 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 42 nC 190 W 14 ns 3.7 ns
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1,RQ Scheda dati TOLL-9 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 24 nC 130 W 15 ns 5 ns
TK080U60Z1,RQ TK080U60Z1,RQ Scheda dati TOLL-9 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 43 nC 211 W 20 ns 4 ns
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1,RQ Scheda dati TOLL-9 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC 176 W 18 ns 4.6 ns
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1,RQ Scheda dati TOLL-9 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 28 nC 150 W 16 ns 5 ns
TK063N60Z1,S1F TK063N60Z1,S1F Scheda dati TO-247-3 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 56 nC 242 W 50 ns 5 ns
TK068N65Z5,S1F TK068N65Z5,S1F Scheda dati TO-247-3 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 68 nC 270 W 51 ns 3.5 ns
TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X Scheda dati TO-220-3 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 300 W 87 ns 77 ns
TK5R0A15Q5,S4X TK5R0A15Q5,S4X Scheda dati TO-220SIS-3 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 53 W 62 ns 57 ns
Pubblicato: 2024-09-10 | Aggiornato: 2025-08-02