Texas Instruments Diodo di bypass smart SM74611 di Texas Instruments

Il diodo di bypass smart SM74611 di Texas Instruments è utilizzato in applicazioni fotovoltaiche e offre un percorso alternativo per la corrente di stringa quando le parti del pannello sono schermate durante il normale funzionamento. Il diodo di bypass smart SM74611 di TI presenta una caduta di tensione diretta più bassa rispetto ai diodi con giunzione P-N e Schottky. Questo presenta una caduta di tensione diretta tipica media di 26 mV a 8 A di corrente. Si traduce in una dissipazione di potenza tipica di 208 mW, notevolmente più bassa rispetto ai 3,2 W dei diodi Schottky tradizionali. SM74611 è inoltre compatto e compatibile per dimensioni e pin con i diodi Schottky D2PAK tradizionali, fattore che lo rende un sostituto immediato per molte applicazioni.

Caratteristiche

  • Maximum reverse voltage (VR) of 30V
  • Maximum forward current (IF) of 15A
  • Low average forward voltage (26mV at 8A)
  • Less power dissipation than Schottky diode
  • Lower leakage current than Schottky diode
  • Footprint and pin-compatible with conventional D2PAK Schottky diode
  • Operating range (Tj) of -40°C to 125°C

Applicazioni

  • Bypass diodes for photovoltaic panels
  • Bypass diodes for micro-inverter and power optimizer

Video

Functional Block Diagram

Schema a blocchi - Texas Instruments Diodo di bypass smart SM74611 di Texas Instruments

Application Circuit

Schema di circuito di applicazione - Texas Instruments Diodo di bypass smart SM74611 di Texas Instruments

TI Reference Designs Library

Progetti di riferimento TI - Texas Instruments Diodo di bypass smart SM74611 di Texas Instruments
Pubblicato: 2013-07-22 | Aggiornato: 2022-03-11