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Texas Instruments FET GaN LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 da 650 V 30 mΩ

I FET GaN LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 da 650 V e 30 mΩ di Texas Instruments includono un driver integrato e una protezione per i convertitori di potenza in modalità commutazione. Il LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 integra un driver in silicio che consente velocità di commutazione fino a 150V/ns. Il dispositivo implementa la polarizzione integrata di precisione del gate di TI, con conseguente SOA di commutazione superiore rispetto ai driver di porta in silicio discreti. Questa integrazione, combinata con il package a bassa induttanza di TI ’, fornisce commutazione pulita e riverbero minimo nelle topologie di alimentazione hard-switching. Una forza gate drive regolabile consente il controllo di velocità di risposta da 20V/ns a 150V/ns che può essere utilizzato per controllo EMI e ottimizzare le prestazioni di commutazione attivamente.

I FET GaN da 30 mΩ da 650 V LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 TI hanno funzionalità di gestione dell'energia avanzate, tra cui il rilevamento digitale della temperatura e il rilevamento dei guasti. I guasti segnalati includono sovratemperatura, sovracorrente e monitoraggio UVLO. I dispositivi LMG3522R030-Q1 sono conformi alla norma AEC-Q100 per il settore automobilistico.

Caratteristiche

  • FET GaN-on-Si da 650 V con driver di porta integrato
    • Tensione di polarizzazione del gate ad alta precisione integrata
    • Dispositivo di fissaggio FET da 200 V/ns
    • Frequenza di commutazione di 2 MHz
    • Velocità di risposta da 20 V/ns a 150 V/ns per l'ottimizzazione delle prestazioni di commutazione e la mitigazione delle EMI
    • Funziona con alimentazione da 7,5 V a 18 V
  • Gestione dell'energia avanzata.
    • Uscita PWM digitale della temperatura
  • Protezione solida
    • Protezione da sovracorrente ciclo per ciclo e da cortocircuito con risposta < 100="">
    • Resiste a picchi di 720 V durante l'hard-switching
    • Autoprotezione da sovratemperatura interna e monitoraggio UVLO
  • Il package VQFN 12 mm x 12 mm raffreddato sul lato superiore separa i percorsi elettrici e termici per la minima induttanza del circuito di alimentazione

Applicazioni

  • Convertitori di potenza a commutazione
  • PSU per server e reti commerciali
  • Rettificatori per telecomunicazioni commerciali
  • Inverter solari e azionamenti per motori industriali
  • Gruppi statici di continuità

Schede tecniche

Diagramma a blocchi semplificato

Texas Instruments FET GaN LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 da 650 V 30 mΩ

Diagramma a blocchi funzionali

Texas Instruments FET GaN LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 da 650 V 30 mΩ
Pubblicato: 2022-12-20 | Aggiornato: 2023-09-07