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STMicroelectronics Tiristore SCR ad alta temperatura TN8050H-12WL

Il tiristore SCR ad alta temperatura TN8050H-12WL di STMicroelectronics è adatto per applicazioni industriali che richiedono un'elevata immunità con corrente di gate inferiore, come avviatori di motori e alimentatori. Con una capacità di sovratensione di 1.400 V, il tiristore SCR TN8050H-12WL di STMicroelectronics offre una maggiore robustezza per applicazioni di rete come inverter per energia rinnovabile e gruppi statici di continuità (UPS). Il dispositivo è disponibile in un package TO-247LL ad alta distanza di dispersione con anodi sul retro e angoli in resina, che forniscono una distanza di dispersione aggiuntiva fino a 6,8 mm per essere conforme agli standard di sicurezza. L'SCR TN8050H-12WL è adatto anche per applicazioni industriali fino a 80ARMS.

Caratteristiche

  • Tensione di blocco massima: 1.200 V
  • Sovratensione massima: 1.400 V
  • IGT massimo: 50mA
  • Alta commutazione statica e dinamica a +150 °C
    • dV/dt: 1500 V/µs
    • dI/dt: 200 A/µs
  • Temperatura di giunzione massima di +150 °C a 800 V
  • Raffreddamento per conduzione
  • Componente ECOPACK2 (conformità RoHS e HF)
  • Package TO247 ad alta dispersione con tempi di consegna lunghi
  • Conformità alla resina UL 94, livello V0

Applicazioni

  • Solare
  • Inverter per energia eolica rinnovabile
  • Relè a stato solido - SSR
  • Gruppo statico di continuità (UPS)
  • SMPS industriali
  • Interruttori di bypass
  • Circuiti di limitazione della corrente di spunto CA-CC (ICL)
  • Raddrizzatori controllati da tensione CA-CC
  • Caricabatterie
  • Sistemi industriali per la saldatura
  • Dispositivi di avviamento progressivo per unità di azionamento motore
  • Sistemi di riscaldamento

Specifiche

  • Tensione di stato di OFF di picco ripetitiva massima: (50/60Hz)
    • 1.200 V a +125 °C
    • 800 V a +150 °C
  • Sovratensione non ripetitiva massima di 1.400 V
  • Corrente RMS massima in stato di conduzione (angolo di conduzione di 180 °): 80 A
  • Corrente media massima in stato di conduzione (angolo di conduzione di 180 °): 51 A
  • Picco massimo di corrente disovratensione non ripetitiva in stato attivo:
    • 745 A quando tp= 8,3 ms
    • 680 A quando tp= 10 ms
  • Massimo picco positivo del gate a 20 µs, +150 °C
    • Corrente 8 A
    • Tensione: 5 V
  • Valore massimo I2t per la fusione: 2312 A2s
  • Tasso di aumento massimo critico della corrente in stato attivo di 200 A/µs
  • Massima dissipazione di potenza media del gate di 1 W
  • Tensione di gate inversa di picco massima di 3,5 V
  • Tensione di soglia massima di 0,85 V
  • Resistenza dinamica massima di 8,6 mΩ
  • Resistenza termica
    • Giunzione-alloggiamento massima: 0,35 °C/W
    • Giunzione-ambiente tipica: 50 °C/W
  • -40 °C a +150 °C temperatura di giunzione di funzionamento portata

Completare il progetto

STMicroelectronics Standard Products

A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.

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Pubblicato: 2025-12-22 | Aggiornato: 2026-01-06