STMicroelectronics IGBT IHR per soft-switching da 650V STGWA50IH65R
Il transistore bipolare a gate isolato (IGBT) IHR per soft-switching da 650V STGWA50IH65R di STMicroelectronics utilizza una struttura avanzata brevettata trench-gate field-stop con un diodo di ricircolo integrato monoliticamente. Ottimizzato sia per le perdite di conduzione che per quelle di commutazione, il dispositivo STGWA50IH65R di STMicroelectronics fornisce commutazione dolce (soft-switching). Questo IGBT in un package TO-247 con terminali lunghi massimizza l'efficienza per applicazioni risonanti e soft-switching.
Caratteristiche
- IGBT serie IHR per soft-switching da 650V, 50A a conduzione inversa, in package TO-247 con terminali lunghi
- Progettato esclusivamente per la commutazione morbida (soft-switching)
- Temperatura di giunzione max +175 °C
- Tensione di saturazione collettore-emettitore tipica di 1,45V con una corrente di collettore continua di 50A
- Corrente del terminale minimizzata
- Distribuzione dei parametri ridotta
- Bassa resistenza termica
- Diodo integrato monoliticamente con bassa caduta di tensione
- Coefficiente di temperatura positivo della tensione di saturazione collettore-emettitore
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Cottura a induzione
- Convertitori risonanti
- Forni a microonde
Specifiche
- Tensione collettore-emettitore massima 650V
- Corrente di collettore continua massima
- 97 A a +25 °C
- 61 A a +100 °C
- Corrente di collettore pulsata massima 200A
- Tensione gate-emettitore massima ±20V
- Tensione gate-emettitore transitoria massima ±30V
- Corrente diretta continua massima
- 86 A a +25 °C
- 52 A a +100 °C
- Corrente diretta pulsata massima 200A
- Dissipazione di potenza totale massima 306W
- Caratteristiche statiche
- Tensione di rottura collettore-emettitore minima 650V
- Tensione di saturazione collettore-emettitore massima 1,75V
- Tensione diretta in conduzione massima 1,75V
- Intervallo di tesione di soglia del gate da 4,5V a 6,5V
- Corrente di blocco del collettore massima 25µA
- Corrente di fuga gate-emettitore massima ±250nA
- Caratteristiche dinamiche tipiche
- Capacità di ingresso 2949pF
- Capacità di uscita 102pF
- Capacità di trasferimento inverso 80pF
- Carica di gate totale 154nC
- Carica gate-emettitore 23nC
- Carica gate-collettore 77nC
- Caratteristiche di commutazione tipiche dell'IGBT
- Carico induttivo
- Intervallo del tempo di ritardo allo spegnimento da 177 ns a 208 ns
- Intervallo del tempo di caduta della corrente da 38 ns a 75 ns
- Intervallo dell'energia di commutazione allo spegnimento da 736μJ a 1070μJ
- Intervallo dell'energia di commutazione allo spegnimento da 474μJ a 236μJ per un carico induttivo smorzato
- Carico induttivo
- Intervallo della temperatura di giunzione di funzionamento da -55°C a +175°C
- Resistenza termica
- Giunzione-contenitore dell'IGBT 0,49°C/W
- Giunzione-contenitore del diodo 0,7°C/W
- Giunzione-ambiente del diodo 50°C/W
Schema
Completi il suo progetto
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Pubblicato: 2026-05-08
| Aggiornato: 2026-05-12