STMicroelectronics IGBT HB2 STGWA100H65DFB2
L'IGBT HB2 STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics è un'evoluzione dell'avanzata struttura proprietaria field-stop trench gate. La serie HB2 ottimizza la conduzione con VCE(sat) premium a bassi valori di corrente e minore energia di commutazione. L'IGBT HB2 STGWA100H65DFB2 presenta un basso VCE(sat) di 1,55 V (tip.) a un IC di 100 A.
L'IGBT HB2 STGWA100H65DFB2 di ST include un diodo a recupero progressivo molto rapido cointegrato in antiparallelo. Ciò consente all'STGWA100H65DFB2 di essere specificamente progettato per massimizzare l'efficienza per un'ampia gamma di applicazioni veloci.
Caratteristiche
- Temperatura di giunzione massima TJ = 175 °C
- Bassa VCE(sat) = 1,55 V(tip.) a IC = 100 A
- Diodo co-package a recupero progressivo e molto rapido
- Corrente del terminale minimizzata
- Distribuzione dei parametri ridotta
- Bassa resistenza termica
- Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Applicazioni
- Saldatura
- Correzione del fattore di potenza
- UPS
- Inverter solari
- Caricabatterie
Applicazione tipica
Completa il tuo progetto
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Pubblicato: 2020-06-26
| Aggiornato: 2025-01-14