STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

Il transistor E-Mode PowerGaN SGT070R70HTO di STMicroelectronics è un transistor ad alte prestazioni in modalità potenziamento progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative. Costruito con la tecnologia del nitruro di gallio (GaN), lo SGT070R70HTO di STMicro offre prestazioni di commutazione superiori con un'elevata resistenza di conduzione di 70 mΩ e una carica di gate minima, consentendo alta efficienza e una riduzione delle perdite nelle operazioni ad alta frequenza. Con una tensione nominale di 700 V tra il drenaggio e la sorgente, il transistor è ideale per applicazioni come alimentatori, azionamenti motori e sistemi di energia rinnovabile. Il dispositivo offre prestazioni termiche elevate ed è alloggiato in un package compatto TO-LL che lo rende adatto a progetti in cui la gestione dello spazio e del calore sono fondamentali. La capacità di commutazione rapida e la bassa capacità di ingresso contribuiscono a migliorare l'efficienza del sistema e la densità di potenza, posizionando lo SGT070R70HTO come una scelta solida per l'elettronica di potenza di nuova generazione.