STMicroelectronics MOSFET di potenza DM6 MDmesh™ STP50N60DM6

Il MOSFET di potenza DM6 MDmesh™STP50N60DM6 STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione che presenta una robustezza dv/dt estremamente elevata. Questo MOSFET di potenza è un diodo corpo a recupero rapido che è protetto da Zener e testato al 100% a valanga. Il MOSFET di potenza STP50N60DM6 offre bassa carica del gate, bassa capacità di ingresso, bassa resistenza e RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente. Questo MOSFET combina una carica di recupero (Qrr) molto bassa, un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci. Il MOSFET di potenza DM6 MDmesh STP50N60DM6 è ideale per applicazioni di commutazione.

Caratteristiche

  • Diodi a corpo a recupero rapido
  • RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
  • Capacitanza in ingresso e carica del gate basse
  • Collaudati al 100% con il metodo a valanga
  • Robustezza dv/dt estremamente elevata
  • Protezione Zener

Panoramica

STMicroelectronics MOSFET di potenza DM6 MDmesh™ STP50N60DM6
Pubblicato: 2020-08-12 | Aggiornato: 2025-01-14